[发明专利]光电转换元件用材料及光电转换元件有效
申请号: | 201080034363.7 | 申请日: | 2010-10-12 |
公开(公告)号: | CN102484204A | 公开(公告)日: | 2012-05-30 |
发明(设计)人: | 饵取秀树;村田秀之;深泽宪正;稻垣翔 | 申请(专利权)人: | DIC株式会社 |
主分类号: | H01L51/42 | 分类号: | H01L51/42 |
代理公司: | 北京林达刘知识产权代理事务所(普通合伙) 11277 | 代理人: | 刘新宇;李茂家 |
地址: | 日本*** | 国省代码: | 日本;JP |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | |||
搜索关键词: | 光电 转换 元件 用材 料及 | ||
1.一种光电转换元件用材料,其含有短径为50nm以下、且长度相对于该短径的比例(长度/短径)为10以上的酞菁纳米线。
2.根据权利要求1所述的光电转换元件用材料,其中,所述酞菁纳米线含有未取代酞菁及具有取代基的酞菁。
3.根据权利要求2所述的光电转换元件用材料,其中,未取代酞菁为未取代铜酞菁、未取代锌酞菁或未取代铁酞菁。
4.根据权利要求2所述的光电转换元件用材料,其中,具有取代基的酞菁以通式(1)或(2)表示,
[化学式1]
其中,式中,X为选自由铜原子、锌原子、钴原子、镍原子、锡原子、铅原子、镁原子、硅原子、铁原子组成的组中的任一者,Y1至Y4表示用于键合酞菁骨架与R1~R4的键合基团;
Y1至Y4不作为键合基团存在时,R1~R4为SO3H、CO2H、可具有取代基的烷基、可具有取代基的(寡)芳基、可具有取代基的(寡)杂芳基、可具有取代基的苯二甲酰亚胺基或可具有取代基的富勒烯类;
Y1至Y4为-(CH2)n-、-CH=CH-、-C≡C-、-O-、-NH-、-S-、-S(O)-、或-S(O)2-所示的键合基团时,R1~R4为可具有取代基的烷基、可具有取代基的(寡)芳基、可具有取代基的(寡)杂芳基、可具有取代基的苯二甲酰亚胺基或可具有取代基的富勒烯类,其中n表示1~10的整数;
a、b、c及d各自独立地表示0~4的整数,但其中至少一个不为0。
5.根据权利要求4所述的光电转换元件用材料,其中,所述可具有取代基的烷基为甲基、乙基或丙基,可具有取代基的(寡)芳基为可具有取代基的(寡)亚苯基或可具有取代基的(寡)亚萘基,可具有取代基的(寡)杂芳基为可具有取代基的(寡)吡咯基、可具有取代基的(寡)噻吩基、可具有取代基的(寡)苯并吡咯基或可具有取代基的(寡)苯并噻吩基。
6.根据权利要求2所述的光电转换元件用材料,其中,具有取代基的酞菁以通式(3)表示,
[化学式2]
其中,式中,X为选自由铜原子、锌原子、钴原子、镍原子、锡原子、铅原子、镁原子、硅原子、铁原子组成的组中的任一者,Z为下述式(a)或(b)所示的基团,a、b、c及d各自独立地表示0~4的整数,但其中至少一个不为0,
[化学式3]
其中,n为4~100的整数,Q各自独立地为氢原子或甲基,Q’为碳数1~30的非环状烃基,
[化学式4]
其中,m为1~20的整数,R及R’各自独立地为碳数1~20的烷基。
7.一种光电转换元件用材料,其中,权利要求1~6中任一项所述的光电转换元件用材料还包含电子接受性材料。
8.根据权利要求7所述的光电转换元件用材料,其中,所述电子接受性材料为富勒烯类。
9.根据权利要求7所述的光电转换元件用材料,其中,所述电子接受性材料为电子接受性聚合物。
10.根据权利要求7所述的光电转换元件用材料,其中,所述电子接受性材料为苝类。
11.一种光电转换元件,其特征在于,其是至少具有正极和负极的光电转换元件,在正极与负极之间包含权利要求1~10中任一项所述的光电转换元件用材料。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于DIC株式会社,未经DIC株式会社许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
本文链接:http://www.vipzhuanli.com/pat/books/201080034363.7/1.html,转载请声明来源钻瓜专利网。
- 同类专利
- 专利分类
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L51-00 使用有机材料作有源部分或使用有机材料与其他材料的组合作有源部分的固态器件;专门适用于制造或处理这些器件或其部件的工艺方法或设备
H01L51-05 .专门适用于整流、放大、振荡或切换且并具有至少一个电位跃变势垒或表面势垒的;具有至少一个电位跃变势垒或表面势垒的电容器或电阻器
H01L51-42 .专门适用于感应红外线辐射、光、较短波长的电磁辐射或微粒辐射;专门适用于将这些辐射能转换为电能,或者适用于通过这样的辐射进行电能的控制
H01L51-50 .专门适用于光发射的,如有机发光二极管
H01L51-52 ..器件的零部件
H01L51-54 .. 材料选择