[发明专利]太阳能电池

权利要求书

1.一种太阳能电池，其包括：

基板；

在所述基板上的第一电极；

第二电极；和

位于所述第一电极和所述第二电极之间的光电转化单元，所述光电转化单元包括由掺杂有作为杂质的碳(C)和氧(O)中的至少一种的非晶硅形成的第一本征(i型)半导体层和由掺杂有锗(Ge)的微晶硅形成的第二i型半导体层。

2.如权利要求1所述的太阳能电池，其中，所述第一i型半导体层和所述第二i型半导体层按上述顺序安置在所述基板的光入射表面上。

3.如权利要求1所述的太阳能电池，其中，所述第一i型半导体层中的碳(C)和氧(O)中的至少一种的杂质含量是约10原子％～50原子％。

4.如权利要求1所述的太阳能电池，其中，所述第二i型半导体层中的Ge含量是约3原子％～20原子％。

5.一种太阳能电池，其包括：

基板；

在所述基板上的第一电极；

第二电极；和

位于所述第一电极和所述第二电极之间的多个光电转化单元，所述多个光电转化单元包括：

第一光电转化单元，所述第一光电转化单元包括由掺杂有作为杂质的碳(C)和氧(O)中的至少一种的非晶硅形成的第一本征(i型)半导体层；

第二光电转化单元，所述第二光电转化单元包括由掺杂有锗(Ge)的非晶硅形成的第二i型半导体层；和

第三光电转化单元，所述第三光电转化单元包括由掺杂有Ge的微晶硅形成的第三i型半导体层。

6.如权利要求5所述的太阳能电池，其中，所述第一光电转化单元、所述第二光电转化单元和所述第三光电转化单元按上述顺序安置在所述基板的光入射表面上。

7.如权利要求5所述的太阳能电池，其中，所述第三i型半导体层的Ge含量低于所述第二i型半导体层的Ge含量。

8.如权利要求5所述的太阳能电池，其中，所述第三i型半导体层的厚度大于所述第二i型半导体层的厚度，且所述第二i型半导体层的厚度大于所述第一i型半导体层的厚度。

9.如权利要求5所述的太阳能电池，其中，在所述第二光电转换部件和所述第三光电转换部件之间安置有间层。

10.如权利要求5所述的太阳能电池，其中，在所述第一光电转换部件和所述第二光电转换部件之间安置有间层。

11.如权利要求5所述的太阳能电池，其还包括：

位于所述第一光电转换部件和所述第二光电转换部件之间的第一间层；和

位于所述第二光电转换部件和所述第三光电转换部件之间的第二间层，

其中所述第二间层的厚度大于所述第一间层的厚度。

12.如权利要求5所述的太阳能电池，其还包括：

位于所述第一光电转换部件和所述第二光电转换部件之间的第一间层；和

位于所述第二光电转换部件和所述第三光电转换部件之间的第二间层，

其中，在第一波长带，所述第一间层的折射率大于所述第二间层的折射率，

其中，在长于所述第一波长带的第二波长带，所述第一间层的折射率小于所述第二间层的折射率。

13.如权利要求5所述的太阳能电池，其中，所述第三i型半导体层中的Ge含量是约3原子％～20原子％。

14.如权利要求5所述的太阳能电池，其中，所述第二i型半导体层中的Ge含量是约5原子％～30原子％。

15.如权利要求5所述的太阳能电池，其中，所述第一i型半导体层中的碳(C)和氧(O)中的至少一种的杂质含量是约10原子％～50原子％。