[发明专利]磁性薄膜的制造方法、磁性薄膜及磁性体有效
| 申请号: | 201080026856.6 | 申请日: | 2010-06-24 |
| 公开(公告)号: | CN102473519A | 公开(公告)日: | 2012-05-23 |
| 发明(设计)人: | 大越慎一;生井飞鸟;高见和之;富田浩太郎 | 申请(专利权)人: | 国立大学法人东京大学;同和电子科技有限公司 |
| 主分类号: | H01F41/16 | 分类号: | H01F41/16;C01G49/00;C09D5/23;C09D7/12;C09D201/00;G11B5/706;G11B5/845;H01F10/22 |
| 代理公司: | 北京市浩天知识产权代理事务所 11276 | 代理人: | 雒纯丹 |
| 地址: | 日本*** | 国省代码: | 日本;JP |
| 权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
| 摘要: | |||
| 搜索关键词: | 磁性 薄膜 制造 方法 | ||
1.磁性薄膜的制造方法,其特征在于,具备涂布工序,将含有包含ε型氧化铁系化合物的磁性粒子的涂布液涂布在成膜对象上,其中ε型氧化铁系化合物具有绝缘性同时具有永磁体功能;和
形成磁性薄膜的形成工序,在对涂布于前述成膜对象上的前述涂布液施加规定强度的外部磁场的状态下,使前述涂布液固化而形成磁性薄膜。
2.根据权利要求1所述的磁性薄膜的制造方法,其特征在于,前述磁性粒子由球状或棒状组成。
3.根据权利要求1所述的磁性薄膜的制造方法,其特征在于,前述磁性粒子由球状组成,
前述涂布工序中使用前述溶液粘度为约50cP以下的涂布液。
4.根据权利要求1~3中任一项所述的磁性薄膜的制造方法,其特征在于,前述形成工序中前述外部磁场的强度为约2T以上。
5.根据权利要求1~4中任一项所述的磁性薄膜的制造方法,其特征在于,前述涂布工序中使用的前述涂布液是由磁性材料浆液制作的,所述磁性材料浆液按照将含有99重量%以上前述ε型氧化铁系化合物的磁性粒子分散在溶液中的方式含有磁性粒子,且前述磁性粒子的动态光散射法平均粒径与通过透射型电子显微镜观察到的观察平均粒径之比为5以下。
6.根据权利要求1~5中任一项所述的磁性薄膜的制造方法,其特征在于,前述ε型氧化铁系化合物包括ε-Fe2O3、ε-AxFe2-xO3(但是,A是除Fe之外的元素,0<x<2)及ε-ByCzFe2-y-zO3(但是,B及C是A及除Fe之外的元素,且相互不同的元素,0<y<1,0<z<1)中的至少任意1种。
7.根据权利要求1~6中任一项所述的磁性薄膜的制造方法,其特征在于,前述涂布液混入有水溶性高分子或水分散性高分子。
8.磁性薄膜,其特征在于,含有包含ε型氧化铁系化合物的磁性粒子,其中,ε型氧化铁系化合物具有绝缘性同时具有永磁体功能,
前述磁性粒子适应形成薄膜时施加的外部磁场而按规定方向取向。
9.根据权利要求8所述的磁性薄膜,其特征在于,前述磁性粒子由球状或棒状组成。
10.权利要求8或9所述的磁性薄膜,其特征在于,含有99重量%以上前述ε型氧化铁系化合物的磁性粒子以分散的方式配置,在形成最高为10μm的膜厚范围时浊度在40%以下。
11.权利要求8~10中任一项所述的磁性薄膜,其特征在于,前述ε氧化铁系化合物包括ε-Fe2O3、ε-AxFe2-xO3(但是,A是除Fe之外的元素,0<x<2)及ε-ByCzFe2-y-zO3(但是,B及C是A及除Fe之外的元素,且相互不同的元素,0<y<1,0<z<1)中的至少任意1种。
12.权利要求8~11中任一项所述的磁性薄膜,其特征在于,规定区域的磁性粒子沿前述规定方向取向,与前述规定区域不同的其他区域的磁性粒子沿着与前述规定方向不同的其它方向取向。
13.权利要求8~12中任一项所述的磁性薄膜,其特征在于,吸收30~300GHz的毫米波区域的电磁波。
14.磁性体,其特征在于,成膜对象具备权利要求8~13中任一项所述的前述磁性薄膜。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于国立大学法人东京大学;同和电子科技有限公司,未经国立大学法人东京大学;同和电子科技有限公司许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
本文链接:http://www.vipzhuanli.com/pat/books/201080026856.6/1.html,转载请声明来源钻瓜专利网。





