[发明专利]双极晶体管的缩放

权利要求书

1.一种方法，包括：

选择双极晶体管的初始设计；

缩放所述双极晶体管的所述初始设计，以产生所述双极晶体管的已缩放设计；

根据所述缩放之后所述双极晶体管的发射极的尺寸，决定是否需要所述双极晶体管的所述已缩放设计的应力补偿；以及

若需要所述双极晶体管的所述已缩放设计的应力补偿，则相对于所述已缩放设计的发射极布局阶层的布局，调整所述已缩放设计的沟槽隔离布局阶层的布局，以产生所述双极晶体管的应力补偿缩放设计。

2.如权利要求1的方法，其中：

所述沟槽隔离布局阶层在所述缩放之后沿着所述集电极的周边定义所述双极晶体管的集电极以及介电隔离；

在所述缩放之后，所述发射极布局阶层定义所述双极晶体管的所述发射极；以及

所述调整所述沟槽隔离布局阶层的所述布局包括：在宽度方向、长度方向、或所述宽度与所述长度方向两者增加所述已缩放设计的发射极至沟槽隔离的间距，所述发射极具有在长度方向延伸的长度、以及在宽度方向延伸的宽度，所述宽度方向与所述长度方向垂直。

3.如权利要求1的方法，其中：

所述沟槽隔离布局阶层在所述缩放之后沿着所述集电极的周边定义所述双极晶体管的集电极以及介电隔离；

在所述缩放之后，所述发射极布局阶层定义所述双极晶体管的所述发射极；以及

所述调整所述沟槽隔离布局阶层的所述布局包括在所述集电极角部中开槽所述沟槽隔离，以形成具有狗骨头形的集电极。

4.如权利要求1的方法，其中：

所述沟槽隔离布局阶层在所述缩放之后沿着所述多个集电极的周边定义所述双极晶体管的多个集电极以及介电隔离，所述介电隔离将所述多个集电极彼此隔离；

在所述缩放之后，所述发射极布局阶层定义所述双极晶体管的多个发射极，每一发射极都对准在所述多个集电极的相应集电极上；以及

所述调整所述沟槽隔离布局阶层的所述布局包括从所述多个集电极之间移除所述介电隔离，以在所述沟槽隔离布局阶层内产生单一集电极。

5.如权利要求1的方法，其中：

在所述缩放之后，所述发射极布局阶层定义所述双极晶体管的所述发射极；以及

在所述缩放之后，所述双极晶体管的所述发射极的所述多个尺寸选自所述发射极的宽度、所述发射极的长度、所述发射极的周边、所述发射极的面积或其组合。

6.一种方法，包括：

(a)选择一电路设计；

(b)使用一或多个计算机处理器，从所述电路设计当中提取双极晶体管的布局阶层以及对应的布局参数；

(c)使用所述一或多个计算机处理器，从所述多个布局参数决定所述多个双极晶体管的装置参数；

(d)使用所述一或多个计算机处理器，执行所述电路设计的电路模拟；

(e)根据所述模拟的结果，决定所述电路设计是否符合预定性能目标；

(f)若不符合所述多个性能目标，则对于所述多个双极晶体管中的至少一个，相对于所述至少一双极晶体管的发射极布局阶层的布局，调整所述至少一双极晶体管的沟槽隔离布局阶层的布局；以及

(g)重复步骤(b)至(f)，直到符合所述多个性能目标或预定次数。

7.如权利要求1的方法，其中：

所述沟槽隔离布局阶层沿着所述集电极的周边定义所述至少一双极晶体管的集电极以及介电隔离；

所述发射极布局阶层定义所述至少一双极晶体管的发射极；

所述多个布局阶层包括定义所述至少一双极晶体管的基极的基极布局阶层；以及

所述多个布局参数选自由所述发射极的宽度、所述发射极的长度、所述发射极的周长、所述发射极的面积、所述发射极的边与沟槽隔离之间的距离、所述基极的面积以及其组合构成的组。