[发明专利]超声波探头的制造方法以及超声波探头

权利要求书

1.一种超声波探头的制造方法，是安装半导体装置来形成超声波探头的超声波探头的制造方法，其中，该半导体装置通过在隔着空穴部配置的上部电极与下部电极之间提供电位差，从而将所述上部电极机械式动作的元件作为一个单元，在半导体基板的主表面上具有沿着第一方向以及与所述第一方向正交的第二方向配置了规定数量的所述单元而形成的块，沿着所述第一方向配置的构成所述块的多个单元的所述上部电极通过辐条而被电连接，沿着所述第二方向配置的构成所述块的多个单元的所述下部电极被电连接，在所述第一方向以及所述第二方向上以矩阵状配置了所述块，该超声波探头的制造方法的特征在于，具有：

(a)在使所述上部电极动作之后，测量所述上部电极与所述下部电极之间的绝缘耐压的工序；

(b)除去在所述(a)工序中判断为不良的所述单元的所述上部电极的工序；和

(c)在所述(b)工序之后，在所述半导体基板的主表面上形成保护膜的工序。

2.根据权利要求1所述的超声波探头的制造方法，其特征在于，

所述空穴部在所述下部电极的上方形成为与所述下部电极重叠，

所述上部电极在所述空穴部的上方形成为与所述空穴部重叠。

3.根据权利要求1所述的超声波探头的制造方法，其特征在于，

在所述下部电极与所述空穴部之间、或者所述空穴部与所述上部电极之间的至少一方形成有绝缘膜。

4.根据权利要求1所述的超声波探头的制造方法，其特征在于，

在所述(b)工序中，除去与被判断为所述不良的所述单元的所述上部电极相连的所述辐条的全部或者一部分。

5.根据权利要求1所述的超声波探头的制造方法，其特征在于，

在所述(a)工序之前，还具有(d)在所述半导体基板的主表面上形成覆盖所述上部电极的绝缘膜的工序，

在所述(b)工序中，除去了在所述(d)工序中形成的所述绝缘膜之后，除去与被判断为所述不良的所述单元的所述上部电极以及被判断为所述不良的所述单元的所述上部电极相连的所述辐条的全部或者一部分。

6.根据权利要求1所述的超声波探头的制造方法，其特征在于，

在所述(b)工序中，除去一个所述单元。

7.根据权利要求1所述的超声波探头的制造方法，其特征在于，

在所述(b)工序中，利用脉冲激光或焦点离子束的任一个，除去被判断为所述不良的所述单元的所述上部电极。

8.根据权利要求1所述的超声波探头的制造方法，其特征在于，

以晶片状态、芯片状态或者安装到超声波诊断装置的探头的状态，进行所述(b)工序中的被判断为所述不良的所述单元的所述上部电极的除去。

9.根据权利要求1所述的超声波探头的制造方法，其特征在于，

在所述(a)工序中，向所述下部电极施加直流电压，向所述上部电极施加交流电压，从而使所述上部电极反复振动之后，在所述上部电极与所述下部电极之间施加直流电压，测量所述上部电极与所述下部电极之间的绝缘耐压。

10.根据权利要求1所述的超声波探头的制造方法，其特征在于，

在所述(c)工序之后还具有(e)在所述上部电极与所述下部电极之间施加直流电压，从而检查在所述上部电极与所述下部电极之间有无短路的工序。

11.根据权利要求1所述的超声波探头的制造方法，其特征在于，

所述保护膜为聚酰亚胺膜、氧化硅膜、氮化硅膜或者聚对二甲苯膜。

12.根据权利要求1所述的超声波探头的制造方法，其特征在于，

所述保护膜是由1层或2层构成的绝缘膜。

13.根据权利要求1所述的超声波探头的制造方法，其特征在于，

构成所述块的多个单元构成进行超声波的发送或接收的至少一方的超声波换能器的阵列。