[实用新型]薄膜晶体管阵列基板及已修复的薄膜晶体管阵列基板有效
| 申请号: | 201020681081.3 | 申请日: | 2010-12-24 |
| 公开(公告)号: | CN201886251U | 公开(公告)日: | 2011-06-29 |
| 发明(设计)人: | 秦锋 | 申请(专利权)人: | 京东方科技集团股份有限公司;合肥京东方光电科技有限公司 |
| 主分类号: | G02F1/1362 | 分类号: | G02F1/1362;G02F1/1368;G02F1/13;H01L27/12 |
| 代理公司: | 北京中博世达专利商标代理有限公司 11274 | 代理人: | 申健 |
| 地址: | 100015 *** | 国省代码: | 北京;11 |
| 权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
| 摘要: | |||
| 搜索关键词: | 薄膜晶体管 阵列 修复 | ||
技术领域
本实用新型涉及液晶显示技术领域,尤其涉及一种薄膜晶体管阵列基板及已修复的薄膜晶体管阵列基板。
背景技术
通常,一块完整的液晶显示面板包括背光模组,上下偏光板,阵列基板(下基板)、彩膜基板(上基板)、以及保留在阵列基板和彩膜基板之间的液晶。其中,阵列基板上设有栅线,垂直于所述栅线设有数据线,所述栅线和所述数据线之间限定有像素区域,所述像素区域内设有薄膜晶体管和像素电极,所述薄膜晶体管的栅极与所述栅线连接、源极与所述数据线连接、漏极与所述像素电极连接。彩膜基板上设有黑矩阵以防止光线从除像素电极区域之外的部分发出、红绿蓝彩膜以用于显示彩色光、以及公共电极以用于形成显示所需的电场。
背光模组发出的光经过下偏光片后成为具有一定偏振方向的偏振光,阵列基板上的栅线控制薄膜晶体管打开后,由数据线控制作用于液晶上的电压,电压不同液晶分子的偏转角度也不同,从而使得透过的光强以及显示亮度不同,偏振光透过液晶并穿过设在彩膜基板上的彩膜层后形成单色偏振光,通过不同光强的红绿蓝三种单色偏振光的组合来显示五颜六色的图像。
由上述可知,当阵列基板上的栅线和数据线保持良好时,液晶分子可以进行正常的偏转,液晶显示面板可以进行正常的显示。但是在制造过程中,栅线和数据线的断线不良却占到了很大的比例。当该断线不良是在阵列基板和彩膜基板对盒之前发现时,可以通过激光化学气相沉积的方法对断线进行修复。然而由于实际操作中断线漏检的几率较大,因此很多断线不良是在阵列基板和彩膜基板对盒之后才发现的,此时之前的断线修复方法已经不适用了。
而且,对于阵列基板和彩膜基板对盒之后的断线不良,现有技术中未给出切实可行的解决方案。
实用新型内容
本实用新型的目的提供一种薄膜晶体管阵列基板及已修复的薄膜晶体管阵列基板,用以对阵列基板和彩膜基板对盒后的断线不良进行修复。为达到上述目的,本实用新型的实施例采用如下技术方案:
本实用新型提供了一种薄膜晶体管阵列基板,包括基板,所述基板上设有栅线,垂直于所述栅线设有数据线,所述栅线和所述数据线之间限定有像素区域,所述像素区域内设有薄膜晶体管和像素电极,所述薄膜晶体管的栅极与所述栅线连接、源极与所述数据线连接、漏极与所述像素电极连接,在所述栅线的上方设有栅修复线,和/或,在所述数据线的上方或/或下方设有数据修复线,且所述栅修复线和所述数据修复线使得修复后的各条栅线和数据线不连通。
其中,所述栅修复线包括数据线层栅修复线和像素电极层栅修复线:所述数据线层栅修复线与所述数据线在一次构图工艺中形成并位于同一层,且所述数据层栅修复线与所述数据线之间具有绝缘的第一缺口;所述像素电极层栅修复线与所述像素电极在一次构图工艺中形成并位于同一层,且所述像素电极层栅修复线与所述像素电极绝缘;和/或,所述数据修复线包括栅线层数据修复线和像素电极层数据修复线:所述栅线层数据修复线与所述栅线在一次构图工艺中形成并位于同一层,且所述栅线层数据修复线与所述栅线之间具有绝缘的第二缺口;所述像素电极层数据修复线与所述像素电极在一次构图工艺中形成并位于同一层,且所述像素电极层栅修复线与所述像素电极绝缘。
其中,所述像素电极层栅修复线为间断的修复线,相邻两段所述像素电极层栅修复线之间的第三缺口与所述第一缺口相互错开;和/或,所述像素电极层数据修复线为间断的修复线,相邻两段所述像素电极层数据修复线之间的第四缺口与所述第二缺口相互错开。
其中,在一段所述数据线层栅修复线的上方设有第一连接过孔,另一段所述数据线层栅修复线的上方设有第二连接过孔,一段所述像素电极层栅修复线分别通过所述第一连接过孔和第二连接过孔将该一段数据线层栅修复线和该另一段数据线层栅修复线连接,且至少存在一段像素电极层栅修复线未连接所述第一连接过孔和第二连接过孔。
其中,当所述像素电极层栅修复线和像素电极层数据修复线均与所述像素电极在一次构图工艺中形成并位于同一层时,所述像素电极层栅修复线和所述像素电极层数据修复线均为间断的修复线,且一段所述像素电极层栅修复线与一段所述像素电极层数据修复线交叉。
本实用新型还提供了一种包括上述薄膜晶体管阵列基板的已修复薄膜晶体管阵列基板,至少包括一条在所述栅修复线下方断开的栅线,在所述栅线断开处的两侧分别连通与所述栅线对应的栅修复线;和/或,至少包括一条在所述数据修复线上方或下方断开的数据线,在所述数据线断开处的两侧分别连通与所述数据线对应的数据修复线。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于京东方科技集团股份有限公司;合肥京东方光电科技有限公司,未经京东方科技集团股份有限公司;合肥京东方光电科技有限公司许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
本文链接:http://www.vipzhuanli.com/pat/books/201020681081.3/2.html,转载请声明来源钻瓜专利网。





