[实用新型]混合集成电路大功率高压隔离无刷电机驱动模块

权利要求书

1.混合集成电路大功率高压隔离无刷电机驱动模块，其特征在于，包括三相高压MOSFET驱动电路以及浪涌吸收电路(6)和逻辑控制电路(2)，三相高压MOSFET驱动电路以及浪涌吸收电路(6)和逻辑控制电路(2)之间并联有三个半桥驱动电路，逻辑控制电路(2)还与光电耦合电路(1)相连接，逻辑控制电路(2)和三相高压MOSFET驱动电路以及浪涌吸收电路(6)分别与过流保护电路(7)相连接。

2.按照权利要求1所述的无刷电机驱动模块，其特征在于，所述的逻辑控制电路(2)包括第一异或门(L1)、第二异或门(L2)和第三异或门(L3)，第一异或门(L1)分别与第一反相器(L4)、第二三输入与门(L8)和第四与门(L13)信号连接，第一反相器(L4)的输出端分别与第一三输入与门(L7)和第二与门(L11)信号连接；第二异或门(L2)分别与第二反相器(L5)、第三三输入与门(L9)和第二与门(L11)信号连接，第二反相器(L5)分别与第二三输入与门(L8)和第三与门(L12)信号连接；第三异或门(L3)分别与第三反相器(L6)、第一三输入与门(L7)和第三与门(L12)信号连接，第三反相器(L6)分别与第三三输入与门(L9)和第四与门(L13)信号连接；第一三输入与门(L7)、第二三输入与门(L8)、第三三输入与门(L9)和第一与门(L10)通过信号连接，第二与门(L11)与第四反相器(L14)信号连接；第三与门(L12)与第五反相器(L15)信号连接；第四与门(L13)与第六反相器(L16)信号连接。

3.按照权利要求2所述的无刷电机驱动模块，其特征在于，所述的三相高压MOSFET驱动电路以及浪涌吸收电路(6)包括NMOFET(M1)，NMOFET(M1)的栅极与源极之间分别并联有第十三电阻(R13)和第七电容(C7)，NMOFET(M1)的漏极分别接高压功率电源Power、第十极管(D10)的正极和第十四电阻(R14)的一端，第十极管(D10)的负极和第十四电阻(R14)的另一端分别与第八电容(C8)的一端相连接，第八电容(C8)的另一端分别与NMOFET(M1)的源极和NMOFET(M2)的漏极相连接，NMOFET(M2)的漏极分别与NMOFET(M1)的源极、第十一二极管(D11)的正极和第十六电阻(R16)的一端相连接，第十一二极管(D11)的负极和第十六电阻(R16)的另一端分别与第十电容(C10)的一端相连接，第十电容(C10)的另一端与NMOFET(M2)的源极相连接，NMOFET(M2)的栅极和源极之间分别并联有第十五电阻(R15)和第九电容(C9)；NMOFET(M1)的漏极与NMOFET(M3)的漏极和NMOFET(M5)的漏极相连接；NMOFET(M3)的漏极与源极之间分别并联有第十七电阻(R17)和第十一电容(C11)，NMOFET(M3)的漏极分别与第十二二极管(D12)的正极和第十八电阻(R18)的一端相连接，第十二二极管(D12)的负极和第十八电阻(R18)的另一端分别与第十二电容(C12)的一端相接，第十二电容(C12)的另一端分别与NMOFET(M3)的源极和NMOFET(M4)的漏极相接；NMOFET(M4)的漏极和源极之间分别并联有第十九电阻(R19)和第十三电容(C13)，NMOFET(M4)的漏极分别与NMOFET(M3)的源极、第十三二极管(D13)的正极和第二十电阻(R20)的一端相接，第十三二极管(D13)的负极和第二十电阻(R20)的另一端分别与第十四电容(C14)的一端相连接，第十四电容(C14)的另一端与NMOFET(M4)的源极相连接；

NMOFET(M5)的漏极和源极之间分别并联有第二十一电阻(R21)和第十五电容(C15)，NMOFET(M5)的漏极分别与第十四二极管(D14)的正极和第二十二电阻(R22)的一端相连接，第十四二极管(D14)的负极和第二十二电阻(R22)的另一端分别与第十六电容(C16)的一端相连接，第十六电容(C16)的另一端分别与NMOFET(M5)的源极和NMOFET(M6)的漏极相连接，NMOFET(M6)的漏极和源极之间分别并联有第二十三电阻(R23)和第十七电容(C17)，NMOFET(M6)的漏极分别与第十五二极管(D15)的正极和第二十四电阻(R24)的一端相连接，第十五二极管(D15)的负极和第二十四电阻(R24)的另一端分别与第十八电容(C18)的一端相连接，第十八电容(C18)的另一端与NMOFET(M6)的源极相连接；

NMOFET(M2)的源极、NMOFET(M4)的源极和NMOFET(M6)的源极分别与第二十五电阻(R25)的一端相连接，第二十五电阻(R25)的另一端接地Pgnd。