[实用新型]电弧离子镀膜装置无效
申请号: | 201020281150.1 | 申请日: | 2010-08-04 |
公开(公告)号: | CN201762438U | 公开(公告)日: | 2011-03-16 |
发明(设计)人: | 赵彦辉;肖金泉;杜昊;华伟刚;于宝海;宫骏;孙超 | 申请(专利权)人: | 中国科学院金属研究所 |
主分类号: | C23C14/35 | 分类号: | C23C14/35 |
代理公司: | 沈阳科苑专利商标代理有限公司 21002 | 代理人: | 张志伟 |
地址: | 110016 辽*** | 国省代码: | 辽宁;21 |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | |||
搜索关键词: | 电弧 离子 镀膜 装置 | ||
1.一种电弧离子镀膜装置,其特征在于:该电弧离子镀膜装置设有真空室、工件磁场线圈支撑圆筒Ⅰ、工件磁场线圈、工件辅助电极、等离子体束流Ⅰ、等离子体聚焦磁场线圈支撑圆筒Ⅰ、等离子体聚焦磁场线圈Ⅰ、阴极靶Ⅰ、阴极靶电源、脉冲偏压电源和工件台,具体结构如下:
真空室内设置工件、工件磁场线圈支撑圆筒Ⅰ、工件磁场线圈、工件辅助电极和工件台,工件磁场线圈设置于工件磁场线圈支撑圆筒Ⅰ的外侧,工件磁场线圈和工件磁场线圈支撑圆筒Ⅰ设置于工件台上,工件辅助电极的一端伸至工件的工件内孔中,电极的另一端通过导线连至脉冲偏压电源的正极,工件台通过导线连至脉冲偏压电源的负极;
真空室的一侧设置等离子体聚焦磁场线圈支撑圆筒Ⅰ、等离子体聚焦磁场线圈Ⅰ、阴极靶Ⅰ,等离子体聚焦磁场线圈Ⅰ设置于等离子体聚焦磁场线圈支撑圆筒Ⅰ的外侧,阴极靶Ⅰ的一端伸至等离子体聚焦磁场线圈支撑圆筒Ⅰ中,阴极靶电源的正极连接真空室的外壳,阴极靶电源的负极连接阴极靶Ⅰ。
2.按照权利要求1所述的电弧离子镀膜装置,其特征在于:还包括阴极靶Ⅱ、等离子体聚焦磁场线圈Ⅱ、等离子体聚焦磁场线圈支撑圆筒Ⅱ,真空室的另一侧设置阴极靶Ⅱ、等离子体聚焦磁场线圈Ⅱ、等离子体聚焦磁场线圈支撑圆筒Ⅱ,等离子体聚焦磁场线圈Ⅱ设置于等离子体聚焦磁场线圈支撑圆筒Ⅱ的外侧,阴极靶Ⅱ的一端伸至等离子体聚焦磁场线圈支撑圆筒Ⅱ中。
3.按照权利要求1或2所述的电弧离子镀膜装置,其特征在于:工件磁场线圈的磁场采用均匀磁场或梯度磁场。
4.按照权利要求2所述的电弧离子镀膜装置,其特征在于:阴极靶Ⅰ与阴极靶Ⅱ共用阴极靶电源。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于中国科学院金属研究所,未经中国科学院金属研究所许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
本文链接:http://www.vipzhuanli.com/pat/books/201020281150.1/1.html,转载请声明来源钻瓜专利网。
- 同类专利
- 专利分类