[实用新型]结型场效应晶体管结构无效
| 申请号： | 201020242737.1 | 申请日： | 2010-06-30 |
| 公开（公告）号： | CN201708157U | 公开（公告）日： | 2011-01-12 |
| 发明（设计）人： | 余荣伟 | 申请（专利权）人： | 四川和芯微电子股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/808 | 分类号： | H01L29/808;H01L21/337 |
| 代理公司： | 暂无信息 | 代理人： | 暂无信息 |
| 地址： | 610041 四川省*** | 国省代码： | 四川;51 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 场效应 晶体管 结构 | ||
【权利要求书】：
1.一种结型场效应晶体管结构，其包括一栅极、一源极、一漏极及一衬底，其特征在于：所述栅极包括一多晶硅层及一P注入层，所述源极包括一N注入层、一N阱层及一深注入N阱层，所述漏极包括所述N注入层、所述N阱层及所述深注入N阱层，一衬底连接端通过所述P注入层、一P阱层、一深注入P阱层及一P型埋层连接所述衬底。
2.如权利要求1所述的结型场效应晶体管结构，其特征在于：所述漏极位于所述结型场效应晶体管结构的中心，所述源极位于所述漏极的四周，所述栅极位于所述漏极与所述源极之间。
3.如权利要求1所述的结型场效应晶体管结构，其特征在于：所述结型场效应晶体管结构还包括一场氧层及一与所述场氧层相邻的N型外延层。
4.如权利要求1所述的结型场效应晶体管结构，其特征在于：所述衬底为P型衬底，所述衬底连接端为P型衬底连接端。
5.如权利要求1所述的结型场效应晶体管结构，其特征在于：所述结型场效应晶体管结构为一种N沟道的结型场效应晶体管结构。
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