[实用新型]一种CuInSe2基薄膜太阳能电池有效
| 申请号： | 201020241912.5 | 申请日： | 2010-06-28 |
| 公开（公告）号： | CN201708162U | 公开（公告）日： | 2011-01-12 |
| 发明（设计）人： | 张晓勇;王东;李学耕 | 申请（专利权）人： | 普尼太阳能(杭州)有限公司 |
| 主分类号： | H01L31/04 | 分类号： | H01L31/04;H01L31/065;H01L31/052;H01L31/0224 |
| 代理公司： | 杭州天勤知识产权代理有限公司 33224 | 代理人： | 胡红娟 |
| 地址： | 310051 浙江省杭*** | 国省代码： | 浙江;33 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 cuinse sub 薄膜 太阳能电池 | ||
1.一种CuInSe2基薄膜太阳能电池，依次由基底、金属正极、反射层、光电转换层和透明导电层构成，其特征在于，
所述的反射层由CuAlSe2/CuAlxGa1-xSe2/CuGaSe2薄膜依次构成，所述的光电转换层由CuIn1-mGamSe2/CuInSe2-ySy/Cu1-aZnaInSe2-bSb薄膜依次构成，所述的透明导电层由CdS/i-ZnO/AZO薄膜依次构成；
所述的反射层与所述的金属正极接触的为CuAlSe2薄膜，所述的反射层与所述的光电转换层的界面为CuGaSe2/CuIn1-mGamSe2界面，所述的光电转换层与所述的透明导电层的界面为Cu1-aZnaInSe2-bSb/CdS界面。
2.如权利要求1所述的CuInSe2基薄膜太阳能电池，其特征在于，所述的反射层中，CuAlxGa1-xSe2薄膜为CuAlSe2薄膜与CuGaSe2薄膜之间的缓冲层，在CuAlSe2/CuAlxGa1-xSe2界面，x＝1；在CuAlxGa1-xSe2/CuGaSe2界面，x＝0；在CuAlxGa1-xSe2薄膜内部，x值从CuAlSe2/CuAlxGa1-xSe2界面到CuAlxGa1-xSe2/CuGaSe2界面递减。
3.如权利要求1所述的CuInSe2基薄膜太阳能电池，其特征在于，所述的光电转换层中，在CuGaSe2/CuIn1-mGamSe2界面，m＝1；在CuIn1-mGamSe2/CuInSe2-ySy界面，0.15＜m＜0.24；在CuIn1-mGamSe2薄膜内部，m值从CuGaSe2/CuIn1-mGamSe2界面到CuIn1-mGamSe2/CuInSe2-ySy界面递减。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于普尼太阳能(杭州)有限公司，未经普尼太阳能(杭州)有限公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/pat/books/201020241912.5/1.html，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇：细长螺栓头部无切削加工模具
- 下一篇：一种防水机柜
- 同类专利
- 专利分类
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射，或微粒辐射敏感的，并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件；专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的，例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的，一个或多个电光源，如场致发光光源在结构上相连的，并与其电光源在电气上或光学上相耦合的
- 一种铜铟硒CuInSe<SUB>2</SUB>太阳能电池及其制备方法
- 薄膜太阳能电池吸收层CuInSe<sub>2</sub>薄膜的制备方法
- 一种多孔片状CuInSe<sub>2</sub>纳米材料及其制备方法
- 一种太阳能电池用CuInSe<sub>2</sub>薄膜的制备方法
- 一种黄铜矿结构CuInSe<sub>2</sub>或/和CuInSe<sub>2</sub>/ZnS核壳结构量子点的制备方法
- 一种具有黄铜矿结构的CuInSe<sub>2</sub>以及CuIn<sub>1-x</sub>Ga<sub>x</sub>Se<sub>2</sub>纳米颗粒的制备方法
- 一种CuInSe<sub>2</sub>和TiO<sub>2</sub>复合异质结薄膜的制备方法
- CuInSe2纳米晶修饰的TiO2纳米管光电极的制备方法
- 一种高效合成具有黄铜矿结构的CuInSe<base:Sub>2
- 一种能反射紫外光的CuInSe<base:Sub>2
- 一种Nd<sub>2</sub>O<sub>3</sub>-Yb<sub>2</sub>O<sub>3</sub>改性的La<sub>2</sub>Zr<sub>2</sub>O<sub>7</sub>-(Zr<sub>0.92</sub>Y<sub>0.08</sub>)O<sub>1.96</sub>复相热障涂层材料
- 无铅[(Na<sub>0.57</sub>K<sub>0.43</sub>)<sub>0.94</sub>Li<sub>0.06</sub>][(Nb<sub>0.94</sub>Sb<sub>0.06</sub>)<sub>0.95</sub>Ta<sub>0.05</sub>]O<sub>3</sub>纳米管及其制备方法
- 磁性材料HN(C<sub>2</sub>H<sub>5</sub>)<sub>3</sub>·[Co<sub>4</sub>Na<sub>3</sub>(heb)<sub>6</sub>(N<sub>3</sub>)<sub>6</sub>]及合成方法
- 磁性材料[Co<sub>2</sub>Na<sub>2</sub>(hmb)<sub>4</sub>(N<sub>3</sub>)<sub>2</sub>(CH<sub>3</sub>CN)<sub>2</sub>]·(CH<sub>3</sub>CN)<sub>2</sub> 及合成方法
- 一种Bi<sub>0.90</sub>Er<sub>0.10</sub>Fe<sub>0.96</sub>Co<sub>0.02</sub>Mn<sub>0.02</sub>O<sub>3</sub>/Mn<sub>1-x</sub>Co<sub>x</sub>Fe<sub>2</sub>O<sub>4</sub> 复合膜及其制备方法
- Bi<sub>2</sub>O<sub>3</sub>-TeO<sub>2</sub>-SiO<sub>2</sub>-WO<sub>3</sub>系玻璃
- 荧光材料[Cu<sub>2</sub>Na<sub>2</sub>(mtyp)<sub>2</sub>(CH<sub>3</sub>COO)<sub>2</sub>(H<sub>2</sub>O)<sub>3</sub>]<sub>n</sub>及合成方法
- 一种(Y<sub>1</sub>-<sub>x</sub>Ln<sub>x</sub>)<sub>2</sub>(MoO<sub>4</sub>)<sub>3</sub>薄膜的直接制备方法
- 荧光材料(CH<sub>2</sub>NH<sub>3</sub>)<sub>2</sub>ZnI<sub>4</sub>
- Li<sub>1.2</sub>Ni<sub>0.13</sub>Co<sub>0.13</sub>Mn<sub>0.54</sub>O<sub>2</sub>/Al<sub>2</sub>O<sub>3</sub>复合材料的制备方法
