[实用新型]电容高压遥控放电电路有效
申请号: | 201020210348.0 | 申请日: | 2010-05-31 |
公开(公告)号: | CN201690252U | 公开(公告)日: | 2010-12-29 |
发明(设计)人: | 钟静宏;马海宁 | 申请(专利权)人: | 北京航天动力研究所 |
主分类号: | H02J7/00 | 分类号: | H02J7/00 |
代理公司: | 核工业专利中心 11007 | 代理人: | 高尚梅 |
地址: | 100076 *** | 国省代码: | 北京;11 |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | |||
搜索关键词: | 电容 高压 遥控 放电 电路 | ||
1.一种电容高压遥控放电电路,它包括去藕电容C1(5)、去藕电容C2(6)、去藕电容C3(7)、电容C4(12)、上拉电阻R1(1)、电容泄放电阻R2(2)、限流电阻R3(3)、分压电阻R4(4),其特征在于:它还包括光耦IC1(8)、N-MOS管Q1(9),和稳压管D1(10)、稳压管D2(11);所述的限流电阻R3(3)一端连接+5V电源,限流电阻R3(3)的另一端连接去藕电容C1(5)的一端及光耦IC1(8)输入侧的一端,去藕电容C1(5)和光耦IC1(8)输入侧的另一端连接5V电源的地GND,所述的光耦IC1(8)隔离侧集电极连接上拉电阻R1(1)、去藕电容C3(7)和稳压管D2(11)的一端,光耦IC1(8)隔离侧发射极连接去藕电容C2(6)、分压电阻R4(4)、稳压管D1(10)的一端和耐高压N-MOS管Q1(9)的源极,上拉电阻R1(1)的另一端、电容泄放电阻R2(2)的一端以及电容C4(12)的一端分别连接电容电压V(13),电容泄放电阻R2(2)的另一端又连接N-MOS管Q1(9)的漏极,去藕电容C3(7)和稳压管D2(11)的另一端、去藕电容C2(6)、分压电阻R4(4)、稳压管D1(10)的另一端、耐高压N-MOS管Q1(9)的栅极以及电容C4(12)的另一端连接电容电压V(13)的地VGND。
2.如权利要求1所述的电容高压遥控放电电路,其特征在于:稳压管D1(10)为15V稳压管。
3.如权利要求1或2所述的电容高压遥控放电电路,其特征在于:Q1(9)为耐高压N-MOS管。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于北京航天动力研究所,未经北京航天动力研究所许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
本文链接:http://www.vipzhuanli.com/pat/books/201020210348.0/1.html,转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇:太阳能、风能和锂电池综合电源管理系统
- 下一篇:一种并网风光互补控制逆变装置