[实用新型]用于半导体器件生产环境评估的取样装置

说明书

技术领域

本实用新型涉及硅半导体器件技术领域，特别涉及一种用于半导体器件生产环境评估的取样装置。

背景技术

在半导体器件的制造过程中，生产环境对产品良率影响重大。当各种样品进入半导体器件生产环境中时，它们会释放多种污染气体，例如空气分子污染物(Airborne Molecular Contaminant，AMC)和易挥发性有机化合物(VolatileOrganic Compound，VOC)等，进而影响生产环境，造成产品良率的损失。不同样品释放的污染气体的量是不同的，因此对生产环境的影响程度也不同。然而，这些污染气体难于测量，给半导体器件生产环境的评估带来很大的困难。现有技术是加强生产环境的取样和测试频率，只有在生产环境出现异常时才能监测到。这种监测方式具有很大的滞后性，很有可能导致相当大的良率损失。因此，预先评估各种样品对半导体器件生产环境的影响显得十分重要。

实用新型内容

本实用新型的目的在于提供一种用于半导体器件生产环境评估的取样装置，可以预先评估样品对半导体器件生产环境的影响。

本实用新型提供一种用于半导体器件生产环境评估的取样装置，包括：腔室，其具有开口和用于盖住所述开口的封盖，所述腔室用于放置待进入所述半导体器件生产环境的样品，所述样品释放多种污染气体；进气管和出气管，分别设置于所述腔室的两侧，所述进气管通入高纯度气体到所述腔室中，所述出气管取样所述腔室中的气体混合物；进气阀，设置于所述进气管中，用于控制所述高纯度气体的通入量；出气阀，设置于所述出气管中，用于控制所述气体混合物的取样量。

优选的，所述高纯度气体为氮气或惰性气体中的一种。

优选的，其特征在于，所述腔室的材料为不锈钢或可溶性聚四氟乙烯塑料。

优选的，其特征在于，所述腔室的体积为30升～200升。

优选的，所述腔室的形状为长方体。

优选的，所述腔室的长度为20厘米～80厘米，宽度为20厘米～80厘米，高度为20厘米～100厘米。

优选的，所述腔室内保持恒定的温度和压强，所述温度为-5摄氏度～50摄氏度，所述压强为0.5个大气压～3.0个大气压。

优选的，所述取样装置还包括加热板，所述加热板位于所述腔室外并与所述腔室接触。

优选的，所述取样装置还包括压力计，所述压力计设置于所述进气管上，用于记录所述腔室内的压强。

优选的，所述进气管和所述出气管相对设置。

与现有技术相比，本实用新型提供了一种用于半导体器件生产环境评估的取样装置，通过将待进入半导体器件生产环境的样品放置于腔室中，并从出气管取样腔室中的气体混合物，对该气体混合物进行测试便可得到该样品在单位时间单位体积内释放的污染气体的量，预先评估各种样品对半导体器件生产环境的影响，有利于判断该样品是否适合于生产环境的使用。类似的，如果将制造过程中完成某一步骤的晶圆放置于腔室中，该取样装置便可用于评估晶圆表面吸附有机物的含量，从而有利于改善方案的提出。此外，该取样装置结构简单，操作方便，并且可以反复使用，成本低。

附图说明

图1为根据本实用新型的用于半导体器件生产环境评估的取样装置的结构示意图。

具体实施方式

为使本实用新型的目的、特征更明显易懂，下面结合附图对本实用新型的具体实施方式作进一步的说明。

图1为根据本实用新型的用于半导体器件生产环境评估的取样装置的结构示意图。图1中，该取样装置包括：腔室10，其具有开口101和用于盖住所述开口101的封盖102，所述腔室10用于放置待进入所述半导体器件生产环境的样品，所述样品释放多种污染气体；进气管20和出气管30，分别设置于所述腔室10的两侧，所述进气管20通入高纯度气体到所述腔室10中，所述出气管30取样所述腔室10中的气体混合物；进气阀21，设置于所述进气管20中，用于控制所述高纯度气体的通入量；出气阀31，设置于所述出气管30中，用于控制所述气体混合物的取样量。其中，所述进气管20和所述出气管30相对设置，所述进气管20中通入的所述高纯度气体为氮气或惰性气体(诸如氦气、氩气)中的一种，其纯度大于或等于99.999％，从而使得腔室10对所述样品而言成为一个相对较纯净的环境。所述腔室10的材料可以为不锈钢或可溶性聚四氟乙烯(Polytetrafluoroethylene，PFA)塑料。所述腔室10的体积可以为30升～200升。优选的，所述腔室10的形状优选为长方体，其长度L为20厘米～80厘米，宽度W为20厘米～80厘米，高度H为20厘米～100厘米。