[实用新型]一种固体电解电容器

说明书

【技术领域】

本实用新型涉及一种固体电解电容器。

【背景技术】

固体电解电容器，由于高频特性良好，并且小型且大容量，因此，在个人计算机或影像装置等各种电子装置的高频电路中得到广泛应用。

请参阅图1所示，现有技术中固体电解电容器一般包括电容器阳极体10，在电容器阳极体10表面形成的氧化膜介质20，在氧化膜介质20外表面形成的固体电解质层30，在固体电解质层30外表面形成的第一阴极层40、在第一阴极层40外表面形成的第二阴极层50。固体电解质层30为导电聚合物层或氧化物，第一阴极层40为碳层，第二阴极层50为银层。现有技术中的碳层40一般是采用将制备固体电解质层30之后的电容器元件浸渍于碳浆或碳糊中，烘干后制备而成。碳层40的一个作用是降低银层与固体电解质层30的接触电阻，另一个作用是防止银层50发生银迁移，致使银通过固体电解质层30到达氧化膜介质的缺陷处，形成电通路，导致电容器漏电流变大。然而如果碳层与氧化膜介质直接接触，碳将可能达到氧化膜介质缺陷处，并形成电通路，同样将导致电容器漏电流明显增大。而现有技术的方案，很容易导致固体电解电容器的漏电流增大。

【实用新型内容】

本实用新型所要解决的技术问题在于提供一种漏电流较小的固体电解电容器。

本实用新型采用以下技术方案解决上述技术问题：

一种固体电解电容器，包括阳极体、在阳极体外表面形成的氧化膜介质、在氧化膜介质外表面形成的固体电解质层、在固体电解质层外表面形成的第一阴极层、第一阴极层外表面形成的第二阴极层；所述第一阴极层的上边缘低于所述固体电解质层的上边缘；所述第二阴极层的上边缘低于所述第一阴极层的上边缘。

所述固体电解质层为导电聚合物层或氧化物，第一阴极层为碳层，第二阴极层为银层。导电聚合物为聚吡咯，聚噻吩，聚苯胺或其衍生物，氧化物为二氧化锰。

所述电容器阳极体是阀金属或氧化物。

所述电容器阳极体的阀金属是铝、钽、铌、钛，所述氧化物是一氧化铌。

本实用新型的优点在于：碳层的上边缘低于所述固体电解质层的上边缘，大大降低了碳层与阳极体直接接触的几率，从而明显降低固体电解电容器的漏电流。银层的上边缘低于所述碳层的上边缘，降低了银层与固体电解质层接触的几率，从而明显降低固体电解电容器的漏电流及。本实用新型原料合理、制备步骤简单，适合大规模推广应用。

【附图说明】

下面参照附图结合实施例对本实用新型作进一步的描述。

图1是现有技术中固体电解电容器结构示意图。

图2是本实用新型结构示意图。

【具体实施方式】

固体电解电容器的电容器芯片是表面覆盖有电介质层的阀金属或氧化物，阀金属是铝、钽、铌或钛等，氧化物是一氧化铌等。固体电解质为导电性聚合物或氧化物，导电聚合物为聚吡咯，聚噻吩，聚苯胺或其衍生物，氧化物为二氧化锰。

本发明以固体铝电解电容器为例，请参阅图2所示，包括作为阳极体的铝芯1、在铝芯1外表面形成的氧化膜(AL₂O₃)介质2、在氧化膜介质2外表面形成的固体电解质层为聚吡咯3、在聚吡咯3外表面形成的第一阴极层为碳层4、在碳层4外表面形成的第二阴极层为银层5；图2中聚吡咯3的上边缘表示为31，碳层4的上边缘表示为41，银层5的上边缘表示为51。从图2中可以看出，碳层4的高度低于聚吡咯3的高度，银层5的高度低于碳层4的高度。

本实用新型碳层的上边缘低于所述固体电解质层的上边缘；大大降低了碳层与阳极体直接接触的几率，从而明显降低固体电解电容器的漏电流。银层的上边缘低于所述碳层的上边缘，降低了银层与固体电解质层接触的几率，从而明显降低固体电解电容器的漏电流。本实用新型原料合理、制备步骤简单，适合大规模推广应用。