[发明专利]吸引干燥在频率片清洗干燥工程的应用

说明书

技术领域

本发明涉及频率片的加工领域，特别是一种吸引干燥在频率片清洗干燥工程的应用。

背景技术

随着超大规模集成电路的迅速发展，芯片的集成度越来越高，元器件的尺寸越来越小，因器件的高密度、小尺寸引发的各种效应对各步工艺制作结果的影响日益突出，对各步工艺的要求也随之越来越严格，如对生产频率片中的清洗要求就越来越高。目前，频率片清洗后使用酒精脱水，再放入100度左右的烘箱中干燥。酒精脱水时需要上下回旋摇动清洗10分钟，浸泡10分钟，干燥10分钟。这种频率片的清洗干燥方式耗费时间长，生产效率低，同时在摇动清洗时容易造成缺损的产生，而且酒精脱水不彻底还容易造成脏污。普通的清洗干燥方式已经不能满足现代快速高效生产的需要。因此，如何进行快速高效的进行频率片清洗干燥工作，降低频率片脏污的发生率成为该技术领域亟待解决的问题。

发明内容

为了提高频率片清洗干燥的生产速度，降低频率片脏污发生率，本发明提供以下技术方案：一种吸引干燥在频率片清洗干燥工程的应用，其特征在于：将吸引干燥的方式应用于频率片清洗干燥工程。

作为本发明的一种优选方案，吸引干燥的方式应用于频率片清洗干燥工程的步骤为：

A、用纯水将频率片进行清洗；

B、将清洗后的频率片放入吸引干燥机中，干燥10分钟，温度条件为60度，压强条件为20KPa；

C、频率片干燥完成，进行下一工序。

作为本发明的另一种优选方案，所述纯水的电阻率小于18.3MΩ·cm。

作为本发明的又一种优选方案，所述吸引干燥机可同时干燥500片频率片。

本发明与现有技术相比，其优点在于：

1.本发明吸引干燥在频率片清洗干燥工程的应用，将普通的酒精脱水的方式进行干燥替换为吸引干燥，省去了酒精使用的环节，同时避免了酒精储存和回收工作；

2.本发明吸引干燥在频率片清洗干燥工程的应用，将原来酒精脱水干燥的30分钟工作时间降低到10分钟，提高了清洗效率，同时将脏污发生率从0.5％降为0；

3.本发明吸引干燥在频率片清洗干燥工程的应用，通过吸引干燥对清洗后的频率片进行干燥，避免了酒精脱水干燥过程中，上下回旋摇动对频率片产生的损毁。

具体实施方式

下面对本发明的较佳实施例进行详细阐述，以使本发明的优点和特征能更易于被本领域技术人员理解，从而对本发明的保护范围做出更为清楚明确的界定。

本发明吸引干燥在频率片清洗干燥工程的应用，主要特征在于：将吸引干燥的方式应用于频率片清洗干燥工程。

其中，吸引干燥的方式应用于频率片清洗干燥工程的步骤为：

A、用纯水将频率片进行清洗；

B、将清洗后的频率片放入吸引干燥机中，干燥10分钟，温度条件为60度，压强条件为20KPa；

C、频率片干燥完成，进行下一工序。

此外，所述纯水的电阻率小于18.3MΩ·cm。所述吸引干燥机可同时干燥500片频率片。

以上所述，仅为本发明的具体实施方式，但本发明的保护范围并不局限于此，任何熟悉本领域的技术人员在本发明所揭露的技术范围内，可不经过创造性劳动想到的变化或替换，都应涵盖在本发明的保护范围之内。因此，本发明的保护范围应该以权利要求书所限定的保护范围为准。