[发明专利]一种多晶硅铸锭用陶瓷坩埚涂层的制备方法无效
| 申请号： | 201010613358.3 | 申请日： | 2010-12-30 |
| 公开（公告）号： | CN102167626A | 公开（公告）日： | 2011-08-31 |
| 发明（设计）人： | 刘晓兵;李刚 | 申请（专利权）人： | 光为绿色新能源有限公司 |
| 主分类号： | C04B41/87 | 分类号： | C04B41/87 |
| 代理公司： | 暂无信息 | 代理人： | 暂无信息 |
| 地址： | 074000 河北省高*** | 国省代码： | 河北;13 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 多晶 铸锭 陶瓷 坩埚 涂层 制备 方法 | ||
1.一种多晶硅铸锭用陶瓷坩埚涂层的制备方法，其特征在于：其包括以下步骤：
(1)悬浊液的配置：
A、以下原料按重量百分比计算，氮化硅50％-70％，去离子水26％-49％，聚乙烯醇PVA 0.5-4％；
B、将所述量的去离子水置于搅拌器内，加热到80-90℃后，将所述量的聚乙烯醇PVA倒入搅拌器内，搅拌均匀；
C、将搅拌器置于超声波仪内，将所述量的氮化硅缓缓倒入搅拌器内，边搅拌边超声震荡不少于30分钟，充分搅拌，配置成悬浊液；
(2)将搅拌好的悬浊液刷涂到陶瓷坩埚的内壁上，涂层的厚度控制在200-400μm；
(3)将刷涂好的陶瓷坩埚放入烘箱中进行烧结，8-10小时升温到1050-1100℃，保温2-4小时，随后随炉冷却至室温。
2.根据权利要求1所述的多晶硅铸锭用陶瓷坩埚涂层的制备方法，其特征在于：所述步骤(1)A中氮化硅50％，去离子水49％，聚乙烯醇PVA 1％。
3.根据权利要求1所述的多晶硅铸锭用陶瓷坩埚涂层的制备方法，其特征在于：所述步骤(1)A中氮化硅70％，去离子水26％，PVA 4％。
4.根据权利要求1所述的多晶硅铸锭用陶瓷坩埚涂层的制备方法，其特征在于：所述步骤(1)A中氮化硅60％，去离子水39.5％，PVA 0.5％。
5.根据权利要求1所述的多晶硅铸锭用陶瓷坩埚涂层的制备方法，其特征在于：所述步骤(1)A中氮化硅55％，去离子水42％，PVA 3％。
6.根据权利要求1所述的多晶硅铸锭用陶瓷坩埚涂层的制备方法，其特征在于：所述步骤(1)A中氮化硅65％，去离子水33％，PVA 2％。
7.根据权利要求1所述的多晶硅铸锭用陶瓷坩埚涂层的制备方法，其特征在于：所述步骤(1)A中氮化硅53％，去离子水44.5％，PVA 2.5％。
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