[发明专利]一种高出光率LED制造方法无效
| 申请号： | 201010612708.4 | 申请日： | 2010-12-29 |
| 公开（公告）号： | CN102142486A | 公开（公告）日： | 2011-08-03 |
| 发明（设计）人： | 刘经国 | 申请（专利权）人： | 刘经国 |
| 主分类号： | H01L33/00 | 分类号： | H01L33/00;H01L33/42 |
| 代理公司： | 暂无信息 | 代理人： | 暂无信息 |
| 地址： | 215123 江苏省苏州市工业*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 高出光率 led 制造 方法 | ||
【权利要求书】：
1.一种高出光率LED制造方法，其特征在于：包括如下步骤
1)在沉积了P型区域的外延片上蚀刻出N型区域；
2)在N型区域沉积透明电极层；
3)使用光刻的方法光刻出透明电极；
4)在N型区域的透明电极上沉积金属电极。
2.根据权利要求1所述的高出光率LED制造方法，其特征在于：在P型区域沉积有透明电极层，使用光刻方法光刻出透明电极。
3.根据权利要求2所述的高出光率LED制造方法，其特征在于：在P型区域的透明电极上沉积金属电极。
4.根据权利要求1所述的高出光率LED制造方法，其特征在于：N型区域透明电极的上表面的高度等于或高于有源区的上表面的高度。
5.根据权利要求1所述的高出光率LED制造方法，其特征在于：通过热蒸发或电子束方法沉积N型区域金属电极。
6.根据权利要求1所述的高出光率LED制造方法，其特征在于：通过热蒸发或电子束方法沉积P型区域金属电极。
7.根据权利要求1所述的高出光率LED制造方法，其特征在于：步骤1)中蚀刻方法为ICP蚀刻。
8.根据权利要求1或2中所述的高出光率LED制造方法，其特征在于：所述的光刻为干法光刻或湿法光刻。
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