[发明专利]用于阻障层表面钝化的方法和系统有效
申请号: | 201010609964.8 | 申请日: | 2007-12-08 |
公开(公告)号: | CN102061469A | 公开(公告)日: | 2011-05-18 |
发明(设计)人: | 耶兹迪·多尔迪;约翰·博伊德;弗里茨·雷德克;威廉·蒂;蒂鲁吉拉伯利·阿鲁娜;衡石·亚历山大·尹 | 申请(专利权)人: | 朗姆研究公司 |
主分类号: | C23C28/00 | 分类号: | C23C28/00;C23C8/02;C23C8/80;C23C8/06;H01L21/00;H01L21/768 |
代理公司: | 上海胜康律师事务所 31263 | 代理人: | 周文强;李献忠 |
地址: | 美国加利*** | 国省代码: | 美国;US |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 用于 阻障 表面 钝化 方法 系统 | ||
1.一种在过渡金属阻障层或过渡金属化合物阻障层上沉积填隙铜层用于集成电路金属化以便在其间产生基本上不含氧的界面的方法,包括:
(a)在基板的表面形成该阻障层;
(b)在该阻障层上形成可除去的钝化表面;
(c)从该阻障层上除去该钝化表面;以及
(d)在该阻障层上沉积该填隙铜层;
其中形成该可除去的钝化表面是在形成该阻障层的解卡持工艺过程中完成的。
2.根据权利要求1所述的方法,进一步包括使该阻障层的该表面富含过渡金属。
3.根据权利要求1所述的方法,其中该阻障层包含钽或氮化钽。
4.根据权利要求1所述的方法,其中形成该可除去的钝化表面是通过对该阻障层施加包含元素氟、溴和碘中的至少一种的活性气体完成的。
5.根据权利要求1所述的方法,其中形成该可除去的钝化表面是通过对该阻障层施加包含元素氟、溴和碘中的至少一种的化合物产生的活性气体完成的。
6.根据权利要求1所述的方法,其中形成该可除去的钝化表面是通过对该阻障层施加包含元素氟、溴和碘中的至少一种的辉光放电完成的。
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