[发明专利]用于共源共栅放大器的反馈偏置

说明书

技术领域

本发明的实施例通常涉及共源共栅放大器，更具体地讲，涉及在功率发送器系统中的共源共栅放大器的反馈偏置。

背景技术

在互补金属氧化物半导体(CMOS)功率放大器设计中，存在两个主要争论点：(1)用于功率放大器的可靠性的电压应力减小以及(2)线性改善。装置的电压应力可导致氧化物破坏和热载流子效应，并且可增加阈值电压并降低装置的性能。另外，由于大量的寄生电容，CMOS技术具有内在的线性问题。因此，需要用于共源共栅放大器的反馈偏置。

发明内容

根据本发明的示例性实施例，存在一种用于功率发送器的系统。该系统可包括：第一放大器级，至少具有以第一共源共栅结构连接的第一晶体管和第二晶体管；第二放大器级，至少具有以第二共源共栅结构连接的第三晶体管和第四晶体管，其中，第一晶体管接收功率发送器的系统输入，其中，第二晶体管连接到第三晶体管，并且其中，第四晶体管提供功率发送器的系统输出；反馈网络，将第四晶体管的第一栅极或基极与第二晶体管的第二栅极或基极连接。

根据本发明的另一示例性实施例，存在用于功率发送器的另一系统。该系统可包括：第一放大器级，至少具有以第一共源共栅结构连接的第一晶体管和第二晶体管；第二放大器级，至少具有以第二共源共栅结构连接的第三晶体管和第四晶体管，其中，第一晶体管接收功率发送器的系统输入，其中，第二晶体管连接到第三晶体管，并且其中，第四晶体管提供功率发送器的系统输出；将一个或多个寄生信号作为反馈信号从第四晶体管的第一栅极或基极反馈到第二晶体管的第二栅极或基极的装置。

附图说明

经采用一般术语描述本发明，现在将参照没必要画出尺度的附图，其中：

图1示出根据本发明示例性实施例的利用用于共源共栅放大器的反馈偏置的示例性简化的功率发送器系统。

图2示出根据本发明示例性实施例的示出共栅极晶体管的寄生电容的共源共栅放大器系统的示意图。

图3示出根据本发明示例性实施例的利用共源共栅放大器的反馈偏置的示例性功率发送器系统的示意图。

图4示出根据本发明示例性实施例的示例性反馈网络的示例性示意图。

具体实施方式

下面将全面参照附图来描述本发明的示例性实施例，其中一些而不是所有的本发明的实施例被显示在附图中。实际上，这些发明可以以许多不同的形式来实施，并且不应解释为受限于这里阐述的实施例；然而，提供这些实施例，从而此公开将满足可应用的合法需求。相同的标号始终表示相同的部件。

本发明的实施例可提供功率发送器系统，该功率发送器系统可包括：第一共源共栅放大器级(例如，驱动器放大器级)和第二共源共栅放大器级(例如，功率放大器级)。在本发明的示例性实施例中，第一共源共栅放大器级可包括配置为共源极放大器的第一晶体管以及配置为共栅极放大器的第二晶体管。同样，第二共源共栅放大器级可包括配置为共源极放大器的第三晶体管和配置为共栅极放大器的第四晶体管。功率发送器系统还可包括反馈网络，该反馈网络连接在第一共源共栅放大器级中的共栅极放大器的栅极与第二共源共栅放大器级中的共栅极放大器的栅极之间。反馈网络可操作用于将寄生信号作为反馈信号从第二共源共栅放大器级中的共栅极放大器的栅极提供给第一共源共栅放大器级中的共栅极放大器的栅极。反馈信号的使用允许功率发送器系统具有较少的截止区域和线性区域但具有更多的饱和区域，从而降低功率放大器系统的操作变化。换句话说，与传统功率放大器相比，功率发送器系统的操作周期更多地落在饱和区域，并且较少工作于截止区域。此外，反馈信号的使用允许第一共源共栅放大器级中的共栅极放大器的电压通常跟随功率发送器系统的输出电压(由第二共源共栅放大器级中的共栅极放大器提供)，从而减小第一共源共栅放大器级中的共栅极放大器的电压应力。

将理解，这里关于具有各个源极、栅极和漏极的场效应晶体管(FET)来示例性地描述本发明的示例性实施例。然而，还将理解，除了FET之外，其他类型的晶体管可同样被利用，包括具有各个发射极、基极和集电极的双极性晶体管(BJT)。因此，FET的示例源极、栅极和漏极可对应于BJT的各个发射极、基极和集电极。同样，根据本发明的示例性实施例，这里被描述的利用FET的共源极放大器可被利用BJT的共发射极放大器替代。类似地，根据本发明的示例性实施例，这里描述的利用FET的共栅极放大器可被利用BJT的共基极放大器替代。