[发明专利]用于共源共栅放大器的反馈偏置

权利要求书

1.一种用于功率发送器的系统，包括：

第一放大器级，至少具有以第一共源共栅结构连接的第一晶体管和第二晶体管；

第二放大器级，至少具有以第二共源共栅结构连接的第三晶体管和第四晶体管，其中，第一晶体管接收功率发送器的系统输入，其中，第二晶体管连接到第三晶体管，并且其中，第四晶体管提供功率发送器的系统输出；

反馈网络，将第四晶体管的第一栅极或基极与第二晶体管的第二栅极或基极连接。

2.如权利要求1所述的系统，其中，反馈网络包括至少两个电容器和一个电感器。

3.如权利要求2所述的系统，其中，至少两个电容器包括第一电容器和第二电容器，其中，第一电容器、第二电容器和电感器每个都具有各自的第一端和各自的第二端，其中，第一电容器的第一端连接到第四晶体管的第一栅极或基极，第二端连接到公共连接到第二电容器的第一端和电感器的第一端的节点，其中，第二电容器的第二端连接到第二晶体管的第二栅极或基极，其中，电感器的第二端连接到地。

4.如权利要求1所述的系统，其中，反馈网络操作用于将反馈信号提供给第二晶体管的第二栅极或基极，反馈信号基于出现在第四晶体管的第一栅极或基极的一个或多个寄生信号。

5.如权利要求4所述的系统，其中，所述一个或多个寄生信号至少基于与第四晶体管相关的下述电容中的一个：漏极栅极电容或栅极源极电容。

6.如权利要求4所述的系统，其中，反馈网络还操作用于为下述部件提供AC地：第二晶体管的第二栅极或基极以及第四晶体管的第一栅极或基极。

7.如权利要求1所述的系统，其中，第一晶体管、第二晶体管、第三晶体管和第四晶体管每个包括：具有各自栅极、源极和漏极的场效应晶体管FET，或者具有各自基极、发射极和集电极的双极性晶体管BJT。

8.如权利要求1所述的系统，其中，第一晶体管和第三晶体管是共源极放大器或共发射极放大器，其中，第二晶体管和第四晶体管是共栅极放大器或共基极放大器。

9.如权利要求1所述的系统，其中，第一晶体管包括第四栅极或基极和第一漏极或集电极，其中，第二晶体管包括第二源极或发射极和第二漏极或集电极，其中，第三晶体管包括第三栅极或基极和第三漏极或集电极，并且其中，第四晶体管包括第四源极或发射极和第四漏极或集电极，

其中，第四栅极或基极接收功率发送器的系统输入，其中，第一漏极或集电极连接到第二源极或发射极，其中，第二漏极或集电极连接到第三栅极或基极，其中，第三漏极或集电极连接到第四源极或发射极，并且其中，第四漏极和集电极提供功率发送器的系统输出。

10.如权利要求9所述的系统，还包括：

级间匹配网络，将第二漏极或集电极连接到第三栅极或基极；

输入匹配网络，将系统输入提供给第四栅极或基极；

输出匹配网络，从第四漏极或集电极接收系统输出。

11.如权利要求9所述的系统，

其中，第一晶体管还包括接地的第一源极或发射极；

其中，第二漏极或集电极还连接到DC电源，

其中，第三晶体管还包括接地的第三源极或发射极，

其中，第四漏极或集电极还连接到DC电源。

12.如权利要求1所述的系统，其中，第一放大器级是驱动器放大器级，并且其中，第二放大器级是功率放大器级。

13.一种用于功率发送器的系统，包括：

第一放大器级，至少具有以第一共源共栅结构连接的第一晶体管和第二晶体管；

第二放大器级，至少具有以第二共源共栅结构连接的第三晶体管和第四晶体管，其中，第一晶体管接收功率发送器的系统输入，其中，第二晶体管连接到第三晶体管，并且其中，第四晶体管提供功率发送器的系统输出；

将一个或多个寄生信号作为反馈信号从第四晶体管的第一栅极或基极反馈到第二晶体管的第二栅极或基极的装置。

14.如权利要求13所述的系统，其中，所述一个或多个寄生信号基于与第四晶体管相关的下述电容中的至少一个：漏极栅极电容或栅极源极电容。

15.如权利要求13所述的系统，其中，所述装置还操作用于为下述部件提供AC地：第二晶体管的第二栅极或基极以及第四晶体管的第一栅极或基极。