[发明专利]一种基于金刚石薄膜的LED散热基底及其制作方法

权利要求书

1.一种基于金刚石薄膜的散热基底，其特征在于：包括硅衬底、金刚石薄膜和过渡层，在硅衬底上制备金刚石薄膜具有硅上金刚石(DOS)结构，所述金刚石薄膜表面粗糙度在去除封端顶层和进行表面平坦化处理后为纳米量级并进行表面改性；过渡层为Ti薄膜，其厚度为10nm～50nm，在制备金属凸点之前先沉积于表面改性后的金刚石薄膜上。

2.一种如权利要求1所述基于金刚石薄膜的散热基底的制作方法，其特征在于包括以下步骤：

1)利用无籽晶生长过渡层的基础，在硅衬底上制备金刚石薄膜，形成硅上金刚石(DOS)结构；

2)对沉积好的金刚石薄膜，首先采用体积比为1∶3的Ar-O₂混合等离子体对表面进行刻蚀处理，去除最后生长的封端顶层金刚石薄膜，再利用超精密薄膜平坦化设备进行表面处理，实现表面粗糙度纳米量级，然后再二次采用Ar等离子体进行表面改性；

3)制备金属凸点之前，采用磁控溅射法沉积一层金属Ti薄膜作为过渡层；

4)采用刻蚀工艺或剥离工艺在过渡层上制作金属凸点。

3.根据权利要求2所述基于金刚石薄膜的散热基底的制作方法，其特征在于：所述制备金刚石薄膜的方法为微波等离子体化学气相沉积法(MPCVD)、热丝化学气象沉积法(HF-CVD)或直流辉光等离子体化学气相沉积法。

4.根据权利要求2所述基于金刚石薄膜的散热基底的制作方法，其特征在于：所述刻蚀工艺为先采用磁控溅射沉积金属薄膜，再光刻-刻蚀形成所需要的版图结构；所述剥离工艺为先光刻曝光，再沉积金属薄膜，最后去胶剥离形成需要的图形结构。

5.根据权利要求2所述基于金刚石薄膜的散热基底的制作方法，其特征在于：所述剥离工艺采用厚胶工艺，采用厚胶工艺制备金属凸点的方法如下：在DOS结构基础上沉积金属Ti薄膜，然后以厚胶限定电镀区域，电镀凸点金属之后，直接进行二次光刻形成所设定的金属版图，在光刻胶的保护下对金属Ti薄膜进行刻蚀，最后去胶形成带凸点的DOS结构LED倒装散热基底；所述凸点金属为由金、银、铝、钛和铜中任意两种或两种以上任意比例的金属组成的复合金属层，同时用来制作与LED发光芯片相对应的基底的P型电极和N型电极。