[发明专利]快闪记忆体的操作方法

权利要求书

1.一种快闪记忆体的操作方法，其特征在于其是用于操作由排列成阵列的多个储存位元构成的一快闪记忆体，所述操作方法包括以下步骤：

该多个储存位元中的一储存位元具有数目为2ⁿ的程序位准时，将该储存位元四周相邻的储存位元设为具有数目为2^n-1的程序位准；以及

该多个储存位元中的另一储存位元具有数目为2^n-1的程序位准时，将该另一储存位元四周相邻的储存位元设为具有数目为2ⁿ的程序位准，其中

每一程序位准对应于不同的临界电压分布。

2.根据权利要求1所述的快闪记忆体的操作方法，其特征在于其中所述的快闪记忆体包括虚拟接地记忆体阵列或NAND型记忆体。

3.根据权利要求1所述的快闪记忆体的操作方法，其特征在于其中所述的快闪记忆体包括由多个电荷捕捉型记忆胞构成的记忆体或由多个浮置栅极型记忆胞构成的记忆体。

4.一种快闪记忆体的操作方法，其特征在于该快闪记忆体包括多条字元线、多条位元线以及多个记忆胞，且每一记忆胞对应于所述多个字元线中的一个与所述多个位元线中的一对，所述操作方法包括以下步骤：

将对应于同一字元线的所述多个记忆胞的多个储存位元设为具有2ⁿ与2^n-1交替的程序位准；以及

将对应于同一位元线的所述多个记忆胞的多个储存位元设为具有2ⁿ与2^n-1交替的程序位准，其中

每一程序位准对应于不同的临界电压分布。

5.根据权利要求1或4所述的快闪记忆体的操作方法，其特征在于其中所述的多个储存位元为多位准单元。

6.根据权利要求1或4所述的快闪记忆体的操作方法，其特征在于其中所述的多个储存位元包括多位准单元与单位准单元。

7.根据权利要求1或4所述的快闪记忆体的操作方法，其特征在于其中所述的n为大于等于2的正整数。

8.根据权利要求7所述的快闪记忆体的操作方法，其特征在于其中所述的n为2、3或4。

9.根据权利要求4所述的快闪记忆体的操作方法，其特征在于其中所述的快闪记忆体包括虚拟接地记忆体阵列。

10.根据权利要求4所述的快闪记忆体的操作方法，其特征在于其中所述的多个记忆胞包括电荷捕捉型记忆胞或浮置栅极型记忆胞。