[发明专利]一种通过四通道IO接口控制并读写NandFlash的方法有效

专利信息
申请号: 201010573113.2 申请日: 2010-11-25
公开(公告)号: CN102023943A 公开(公告)日: 2011-04-20
发明(设计)人: 邱柏云;裴育 申请(专利权)人: 杭州晟元芯片技术有限公司
主分类号: G06F13/20 分类号: G06F13/20
代理公司: 杭州九洲专利事务所有限公司 33101 代理人: 陈继亮
地址: 310012 浙江省杭州*** 国省代码: 浙江;33
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摘要:
搜索关键词: 一种 通过 通道 io 接口 控制 读写 nandflash 方法
【说明书】:

技术领域

发明涉及芯片设计领域,尤其是一种通过四通道IO接口控制并读写NandFlash的方法。

背景技术

Nand型Flash(NandFlash)是一种广泛使用的非易失存储器NVM(Non-VolatileMemory),其最大的特点是容量大。目前,大容量存储设备,如U盘、SD卡上使用的存储体都是NandFlash。

虽然NandFlash具有容量大的优点,但是其接口较复杂。连同数据链和控制线,NandFlash需要至少16跟通讯线才能被主控制器控制。

下表以K9F系列NandFlash为例,列示了典型NandFlash的控制及数据接口,并说明其各自的作用。

I:代表数据方向为输入;

O:代表数据方向为输出;

I/O:代表数据方向为双向分时复用。

NandFlash接口按照一套协议实现所有的设备操作,以K9F系列NandFlash为例所有的操作可以由14个命令完成,具体见下表:

  Function  1st Cycle  2nd Cycle  Accentable Command during Busy  Read  00h  30h  Read for Copy Back  00h  35h  Read ID  90h  -  Reset  FFh  -  ○  Page Program  80h  10h  Two-Plane Page Program(3)  80h---11h  81h---10h  Copy-Back Program  85h  10h  Two-Plane Copy-Back Program(3)  85h---11h  81h---10h  Block Erase  60h  D0h  Two-Plane Block Erase  60h---60h  D0h  Random Data Input(1)  85h  -  Random Data Output(1)  05h  E0h  Read Status  70h  ○  Read EDC Status(2)  7Bh  ○

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