[发明专利]一种钼坯制备方法无效

专利信息
申请号: 201010532720.4 申请日: 2010-11-01
公开(公告)号: CN101966585A 公开(公告)日: 2011-02-09
发明(设计)人: 唐丽霞;黄晓玲;薛夏英;郭军刚;卜春阳;崔玉清 申请(专利权)人: 金堆城钼业股份有限公司
主分类号: B22F3/16 分类号: B22F3/16
代理公司: 中国有色金属工业专利中心 11028 代理人: 李迎春;李子健
地址: 710077 陕*** 国省代码: 陕西;61
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摘要:
搜索关键词: 一种 制备 方法
【说明书】:

技术领域

一种钼坯制备方法,涉及一种晶粒数5000~20000个/mm2、晶粒尺寸在300~800nm纯钼坯的制备方法。

背景技术

钼坯的制备方法通常是采用粉末冶金的方法,制备过程采用钼粉为原料,经过预处理、成型、烧结制成钼坯。钼粉的粒度及分布对烧结制品的密度和晶粒的大小影响很大。目前,工业上采用的钼粉粒度一般在2~5um之间,难以满足生产晶粒数可达到5000~20000个/mm2,晶粒尺寸在300~800nm钼坯的需要。

发明内容

本发明的目的就是针对上述已有技术存在的不足,提供一种制备晶粒数在5000~20000个/mm2、晶粒尺寸在300~800nm纯钼坯的制备方法。

本发明的目的是通过以下技术方案实现的。

一种钼坯制备方法,其特征在于其制备过程采用粒度为0.5~1um的亚微米级钼粉为原料,经过预处理、成型、烧结制成钼坯。

本发明的一种钼坯制备方法,其特征在于将0.5~1um的亚微米级钼粉进行3~5小时的混料预处理,以提高钼粉的松装密度。

本发明的一种钼坯制备方法,其特征在于其压制压力为150~200MPa,烧结温度为500℃,保温60~120min,800℃,保温60~120min,1250℃,保温60~120min,1500~1700℃保温240~420min。

本发明的一种钼坯制备方法,采用亚微米级钼粉和低温活化烧结细晶粒钼板坯。以0.5~1um钼粉为原料,通过前期预处理、降低烧结温度和烧结时间可以制备出细晶粒的钼坯,钼坯的密度在9.8~10.0之间,晶粒数在5000~20000个/mm2、晶粒尺寸在300~800nm。以这种钼粉制备细晶粒的钼板坯,可降低烧结温度和烧结时间,对生产设备无特殊要求,适合工业化生产。

具体实施方式

一种钼坯制备方法,其制备过程采用粒度为0.5~1um的亚微米级钼粉为原料,通过预处理、压制、烧结制成的;其压制烧过程的压制压力为150~200MPa,烧结温度为500℃,保温60~120min、800℃,保温60~120min、1250℃,保温60~120min;1500~1700℃保温240~420min。

操作时,以0.5~1um亚微米级的钼粉为原料,首先将钼粉充分混料后再进行压制,烧结制备出细晶粒钼板坯。制备工艺包括下列步骤:(1)将粒度在0.5~1um的亚微米级钼粉装入混料机混料3~5小时(2)根据坯料要求在压力机上将钼粉压制成一定规格尺寸的钼坯,压制压力为150~200MPa(3)坯料烧结,烧结温度为500℃,保温60~120min、800℃,保温60~120min、1250℃,保温60~120min;1500~1700℃保温240~420min。制成的钼坯的密度在9.8~10.0之间,晶粒数在5000~20000个/mm2、晶粒尺寸在300~800nm。

实施例1

将0.5~1um亚微米级钼粉在混料机中充分混料5小时,取1000克钼粉在油压机上压制成型,压制压力为100MPa。将坯料在中频炉中烧制,烧结温度为500℃,保温120min,800℃,保温120min,1250℃,保温120min,1500℃保温120min,1700保温300min。得到的钼坯的密度为9.95g/cm3,晶粒数在10000个/mm2、晶粒尺寸在700nm

实施例2

将0.5~1um亚微米级钼粉在混料机中充分混料5小时,取1000克钼粉在油压机上压制成型,压制压力为100MPa。将坯料在中频炉中烧制,烧结温度为500℃,保温120min,800℃,保温120min,1250℃,保温120min,1500℃保温120min,1600保温120min。得到的钼坯的密度为9.90g/cm3,晶粒数在16000个/mm2、晶粒尺寸在500nm。

实施例3

将0.5~1um亚微米级钼粉在混料机中充分混料5小时,取1000克钼粉在等静压上压制成钼棒,压制压力为120MPa。将坯料在中频炉中烧制,烧结温度为500℃,保温120min,800℃,保温120min,1250℃,保温120min,1500℃保温120min,1700保温240min。得到的钼坯的密度为9.96g/cm3,晶粒数在12000个/mm2、晶粒尺寸在680nm。

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