[发明专利]声波谐振器及其加工方法

权利要求书

1.一种声波谐振器，其特征在于：包括：

(a)具有空气腔的基底；

(b)在基底上形成的第一钝化层，且位于空气腔上方；

(c)在第一钝化层上形成的种子层，第一钝化层阻止种子层与谐振器周围环境相互作用；

(d)在种子层上形成的多层结构；以及

(e)在多层结构上表面形成的第二钝化层。

2.根据权利要求1所述的声波谐振器，其特征在于，其中的多层结构包括：

(a)在种子层上形成的底部电极；

(b)在底部电极上形成的压电层；以及

(c)在压电层上形成的顶部电极。

3.根据权利要求1所述的声波谐振器，其特征在于，其中的多层结构包括：

(a)在种子层上形成的第一底部电极；

(b)在第一底部电极上形成的第一压电层；

(c)在第一压电层上形成的第一顶部电极；

(d)在第一顶部电极上形成的解耦层；

(e)在解耦层上形成的第二底部电极；

(f)在第二底部电极上形成的第二压电层；以及

(g)在第二压电层上形成的第二顶部电极。

4.根据权利要求1所述的声波谐振器，其特征在于，所述的第一钝化层的构成材料为碳化硅、氧化铝、金刚石、类金刚石炭(DLC)、氧化硅、氮化硅及疏水聚合物中的一种或是两种以上混合物。

5.根据权利要求1所述的声波谐振器，其特征在于，所述的第二钝化层材料和第一钝化层材料相同或不同。

6.根据权利要求1所述的声波谐振器，其特征在于，所述的第一钝化层的厚度为10～10000埃。

7.根据权利要求1所述的声波谐振器，其特征在于，所述的种子层的构成材料为氮化铝、氮氧化铝、氮化钨、氮化钛钨、氧化硅、氮化硅及碳化硅中的一种或是两种以上混合物。

8.一种制造声波谐振器的方法，其特征在于：包括如下步骤：

(a)提供带有牺牲层的基底；

(b)在牺牲层上形成第一钝化层并延伸至整个基底；

(c)在第一钝化层上形成种子层；

(d)在种子层上形成多层结构；

(e)在多层结构上表面形成第二钝化层；以及

(f)将牺牲层从基底移除以形成空气腔。

9.根据权利要求8所述的制造声波谐振器的方法，其特征在于，其中形成多层结构的过程包含下述几个步骤：

(a)在种子层上形成底部电极；

(b)在底部电极上形成压电层；以及

(c)在压电层上形成顶部电极。

10.根据权利要求8所述的制造声波谐振器的方法，其特征在于，其中形成多层结构的过程包含下述几个步骤：

(a)在种子层上形成第一底部电极；

(b)在第一底部电极上形成第一压电层；

(c)在第一压电层上形成第一顶部电极；

(d)在第一顶部电极上形成解耦层；

(e)在解耦层上形成第二底部电极；

(f)在第二底部电极上形成第二压电层；以及

(g)在第二压电层上形成第二顶部电极。

11.根据权利要求8所述的制造声波谐振器的方法，其特征在于，第一钝化层的制作材料为碳化硅、氧化铝、金刚石、类金刚石炭(DLC)、氧化硅、氮化硅及疏水聚合物中的一种或是两种以上混合物。

12.根据权利要求8所述的制造声波谐振器的方法，其特征在于，第二钝化层的构成材料和第一钝化层的构成材料相同或者不同。

13.根据权利要求8所述的制造声波谐振器的方法，其特征在于，其中第一钝化层的厚度为10～10000埃。

14.根据权利要求8所述的制造声波谐振器的方法，其特征在于，种子层的构成材料为氮化铝、氮氧化铝、氮化钨、氮化钛钨、氧化硅、氮化硅及碳化硅中的一种或是两种以上混合物。