[发明专利]像素结构

权利要求书

1.一种像素结构，包括：

一扫描线及一数据线，彼此交错并且电绝缘；

一栅极，与该扫描线电性连接；

一源极，至少部分位于该栅极上并连接至该数据线；

一漏极，至少部分位于该栅极上并与该源极对向配置；

一像素电极，该像素电极包括一主体部和一延伸部，该主体部与该漏极电性连接，该延伸部与该主体部电性相连，且该延伸部与该栅极及该漏极部分重叠。

2.如权利要求1所述的像素结构，其中该延伸部包括一延伸电极和一延伸分支，该延伸电极电性连接至该主体部及该延伸分支。

3.如权利要求2所述的像素结构，其中该延伸电极与该延伸分支实质上构成一“L”形，其竖向部分为该延伸电极，横向部分为该延伸分支，且该延伸分支系与该栅极及该漏极部份重叠。

4.如权利要求3所述的像素结构，其中该漏极系为一梳状电极，其包括：

一梳形部，该梳形部构成为一”コ”形，且其更包括一底部和两分支，该两分支与该底部连接；

一连接部，其一端与该底部连接，另一端与该画素电极之该主体部电性连接。

5.如权利要求4所述的像素结构，其中该梳形部之分支其中之一与该延伸分支部分重叠，并小于该延伸分支的宽度。

6.如权利要求5所述的像素结构，其中该梳形部之该分支的宽度实质上为该连接部宽度的1.4倍。

7.如权利要求4所述的像素结构，其中该梳形部之分支其中之一与该延伸分支部分重叠，并大于或等于该延伸分支。

8.如权利要求7所述的像素结构，其中该延伸分支的宽度实质上为该连接部宽度的1.4倍。

9.如权利要求2所述的像素结构，其中该延伸电极与该延伸分支实质上构成一“ヒ”形，其竖向部分为该延伸电极，横向部分为该两延伸分支，且该两延伸分支与该漏极分别部分重叠。

10.如权利要求9所述的像素结构，其中该漏极系为一梳状电极，其包括：

一梳形部，该梳形部构成为一”コ”形，该梳形部包括一底部和两分支，该两分支与该底部连接；

一连接部，其一端与该底部连接，另一端与画素电极主体部电性连接。

11.如权利要求10所述的像素结构，其中该两分支分别与该两延伸分支部分重叠。

12.如权利要求11所述的像素结构，其中该两个分支的宽度总和实质上为该连接部宽度的1.4倍。

13.如权利要求2所述的像素结构，其中该延伸分支连接延伸电极一端的宽度小于远离延伸电极的一端。

14.如权利要求1所述的像素结构，其中该延伸部包括有一重叠部及非重叠部，重叠部系为与该栅极及该漏极重叠，非重叠部与该主体部和该重叠部连接。

15.如权利要求14所述的像素结构，其中该非重叠部有一部分沿一方向由该重叠部延伸到漏极之外以改善对位步骤引起的误差。

16.如权利要求1所述的像素结构，其中该漏极系为一条状电极，一端与该延伸部部分重叠，另外一端与像素电极电性连接，且该重叠的一端的宽度大于另外一端的宽度。

17.如权利要求1所述的像素结构，其中该像素结构还包括一接触电极，该接触电极与该漏极电性相连且部分重叠。