[发明专利]非固定结构的电容扩音器组件无效
申请号: | 201010509923.1 | 申请日: | 2010-10-14 |
公开(公告)号: | CN102045629A | 公开(公告)日: | 2011-05-04 |
发明(设计)人: | 宋青淡 | 申请(专利权)人: | 宝星电子股份有限公司 |
主分类号: | H04R19/02 | 分类号: | H04R19/02;H04R3/00 |
代理公司: | 北京市浩天知识产权代理事务所 11276 | 代理人: | 刘云贵 |
地址: | 韩国*** | 国省代码: | 韩国;KR |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 固定 结构 电容 扩音器 组件 | ||
技术领域
本发明涉及一种电容扩音器装置,更具体地是关于在配极板上不形成驻极体而使振动板电器非固定且静电容量提高的电容扩音器组件。
背景技术
作为广泛用于移动终端等的小型电容扩音器,无需偏置电源的驻极体电容扩音器也被广泛使用,自从要求适用表面组装技术(Surface MountingTechnology,SMT)开始,为了解决驻极体的非耐高温问题,开发了多种结构的表面组装(SMD)用电容扩音器。特别是,半导体芯片的制造技术得到发展,随着内置电压泵电路(Voltage Pump)的缓冲器IC的开发,其中电压泵电路通过提升低的DC电压而产生高的偏置电压,在表面组装(SMD)用电容扩音器上能够适用偏置结构。
另外,用于移动终端的硅电容扩音器由于难以在MEMS扩音器芯片形成驻极体,因而通过利用内置有电压泵电路(Voltage Pump)的缓冲器IC以偏置方式工作。为此MEMS扩音器芯片电器非固定,通常其静电容量大致在1pF左右。
但是,当电容扩音器静电容量小到1pF左右程度时,存在缓冲器IC中难以体现高灵敏度和低杂音特性的问题。
发明内容
本发明是为解决上述问题而提出,本发明的目的在于提供静电容量大且具有电器非固定结构的电容扩音器。
本发明的另外一个目的在于提供通过利用内置有电压泵电路(VoltagePump)的缓冲器IC以偏置方式工作的SMD用电容扩音器。
为达到所述目的,本发明的特征在于包括:
音响体,通过微小垒并电器隔离而相向的振动板和配极板之间施加非固定偏置电压,所述振动板随外部音源音压变化而振动;印刷电路基板组件,在外侧面形成输出端子和接地端子,通过所述输出端子和所述接地端子与外部电路连接,内侧面组装有缓冲器IC,用内置在所述缓冲器IC的电压泵电路提升输入电压,向所述音响体提供电器非固定偏置电压,同时所述缓冲器IC以电信号增幅所述音响体的静电容量的变化,通过所述输出端子和所述接地端子输出;盒,呈一面开口的金属材质筒形,除开口面端部周边外在内侧涂覆有绝缘物质,与所述音响体电绝缘并且筒内部包含所述音响体,与所述印刷电路基板组件卷曲结合,并与所述接地端子连接,电屏蔽所述音响体。
所述音响体包括:振动板,组装在涂覆有绝缘物质的所述盒的内侧底面且通过外部音源振动;绝缘垒,在部分绝缘主体上形成导电图案,向所述振动板施加偏置电压的同极性,并与偏置电压的异极性电器绝缘,在卷曲过程支撑内部部件;隔片,绝缘材质且组装在所述绝缘垒内形成侧微小垒;配极板,通过所述隔片与所述振动板相向;导电垒,用于向所述配极板施加偏置电压异极性。
本发明的电容扩音器由于没有使用驻极体,因而即便经过表面组装技术的高温回流工序性能也不会下降依然能够维持高品质,并且由于比MEMS扩音器芯片的静电容量大,从能能够提供低杂音、高性能的特性。
附图说明
图1是示出本发明电容扩音器的整概念的概要图。
图2是本发明电容扩音器组件的剖面图。
图3是本发明电容扩音器组件的立体图。
图4为表示本发明电容扩音器的振动板的图。
图5是表示本发明电容扩音器的绝缘垒的图。
图6是表示在本发明电容扩音器的配极板的图。
附图标记说明
10:音响体 20:缓冲器IC
102:盒 102a:音响槽
102b:绝缘物质 104:振动板
106:绝缘垒 107:导电图案
108:隔片 110:配极板
112:导电垒
具体实施方式
通过本发明和本发明的实施而完成的技术课题通过以下说明的本发明优选实施例而进一步确定。下面的实施例仅仅是为了说明本发明而例举的例子而已,并不能限定本发明的范围。
图1是示出本发明电容扩音器的整概念的概要图。
本发明电容扩音器100如图1所示,包括:音响体10,施加非固定偏置电压,当振动板随外部音源音压振动时,静电容量产生变化;缓冲器IC20,通过输出(Vout)端和接地(GND)端子与外部电路连接,用内置的电压泵电路提高输入电压,向音响体10施加电器非固定偏置电压后,以电信号增幅音响体10静电容量变化,通过输出(Vout)端子和接地(GND)端子输出;盒102,与接地(GND)端子连接电器屏蔽内部音响体10。
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