[发明专利]一种晶体硅太阳能电池双扩散工艺有效
| 申请号： | 201010296312.3 | 申请日： | 2010-09-29 |
| 公开（公告）号： | CN101980381A | 公开（公告）日： | 2011-02-23 |
| 发明（设计）人： | 刘鹏;姜言森;李玉花;杨青天;程亮;刘斌贤;孙晨曦 | 申请（专利权）人： | 山东力诺太阳能电力股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L31/18 | 分类号： | H01L31/18 |
| 代理公司： | 济南舜源专利事务所有限公司 37205 | 代理人： | 宋玉霞 |
| 地址： | 山东省济南市经十东路3076*** | 国省代码： | 山东;37 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 晶体 太阳能电池 扩散 工艺 | ||
1.一种晶体硅太阳能电池双扩散工艺，其特征在于，包括以下步骤：
第一步扩散：硅片放入石英管，（1）在温度820℃-840℃条件下通入5-8slm N2和1.0-1.5slm O2，时间2-3min，形成15-30nm的SiO2的氧化层；（2）升温到845℃-860℃，通入N2 8-10slm、N2-POCl3 0.8-1.0slm、O2 0.8-1.2slm的混合气体进行沉积，时间3.0-8.0min；（3）升温到900-1000℃，通入8-13slm的N2进行推进，时间20-70 min；
第二步扩散：（1）降温到840℃-870℃，通入N2 8-10slm、N2-POCl3 0.8-1.0slm、O2 0.8-1.2slm的混合气体进行沉积，时间10-15min；（2）升温到870℃-950℃，通入8-13slm的N2进行推进，时间2-6min。
2.根据权利要求1所述的一种晶体硅太阳能电池双扩散工艺，其特征在于，其优选工艺数据为：
第一步扩散：硅片放入石英管，（1）在温度830℃条件下通入7.5slm N2和1.2slm O2，时间3min，形成15-30nm的SiO2的氧化层；（2）升温到845℃，通入N2 9slm、N2-POCl3 0.8slm、O2 1slm的混合气体进行沉积，时间5min；（3）升温到950℃，通入10slm的N2进行推进，时间35 min；
第二步扩散：（1）降温到850℃，通入N2 10slm、N2-POCl3 0.95slm、O2 1slm的混合气体进行沉积，时间12min；（2）升温到860℃，通入9slm的N2进行推进，时间3min。
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