[发明专利]校正电路、驱动电路、发光设备和校正电流脉冲波形的方法无效
申请号: | 201010287682.0 | 申请日: | 2010-09-17 |
公开(公告)号: | CN102035134A | 公开(公告)日: | 2011-04-27 |
发明(设计)人: | 前田修;大尾桂久;兴边孝一;谷口健博;荒木田孝博 | 申请(专利权)人: | 索尼公司 |
主分类号: | H01S5/042 | 分类号: | H01S5/042;H01S5/0683;H01S5/18 |
代理公司: | 北京市柳沈律师事务所 11105 | 代理人: | 郭定辉 |
地址: | 日本*** | 国省代码: | 日本;JP |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 校正 电路 驱动 发光 设备 电流 脉冲 波形 方法 | ||
1.一种校正电路,包括:
RC时间常数电路,
其中,所述RC时间常数电路用于校正从电流源输出的电流脉冲的波形,以使得表面发射半导体激光器的光输出的脉冲波形近似为矩形,所述电流源以脉冲方式驱动所述半导体激光器。
2.如权利要求1所述的校正电路,
其中,所述电流脉冲的波形被校正以使得根据所述RC时间常数电路的RC时间常数随时间衰减所述电流脉冲的峰值。
3.如权利要求2所述的校正电路,
其中,所述RC时间常数电路包括随时间衰减所述电流脉冲的峰值的多个第一时间常数电路,
所述第一时间常数电路具有彼此不同的RC时间常数,
所述多个第一时间常数电路中的至少一个第二时间常数电路具有值在20nsec到50nsec并含20nsec和50nsec的范围内的RC时间常数,以及
所述多个第一时间常数电路中不是所述第二时间常数电路的一个或多个第三时间常数电路具有值大于50nsec的RC时间常数。
4.如权利要求3所述的校正电路,
其中,所述半导体激光器具有包括被一对多层反射器夹住的活性层的垂直谐振器结构,以及
所述校正电路校正所述电流脉冲的波形,使得所述电流脉冲的峰值与所述活性层的温度的变化对应地变化。
5.如权利要求4所述的校正电路,
其中,所述RC时间常数电路包括调整所述电流脉冲的峰值的多个第四时间常数电路,
所述第四时间常数电路具有彼此不同的RC时间常数,
所述多个第四时间常数电路中的至少一个第五时间常数电路具有值在20nsec到50nsec并含20nsec和50nsec的范围内的RC时间常数,以及
所述多个第四时间常数电路中不是所述第五时间常数电路的一个或多个第六时间常数电路具有值大于50nsec的RC时间常数。
6.如权利要求1所述的校正电路,
其中,所述校正电路依据环境温度、偏置电流或驱动电流来改变所述电流脉冲的峰值。
7.如权利要求6所述的校正电路,
其中,所述半导体激光器具有包括被一对多层反射器夹住的活性层的垂直谐振器结构,以及
所述校正电路根据作为所述活性层的发射波长和所述垂直谐振器结构的振荡波长之间的差的波长失谐的幅度来改变所述电流脉冲的峰值。
8.如权利要求6所述的校正电路,
其中,所述校正电路调整用于将电压值转换成电流值的转换常数的值,以使得改变所述电流脉冲的峰值,其中所述电压值依据环境温度、偏置电流或驱动电流而设置。
9.如权利要求1所述的校正电路,
其中,所述活性层包括GaInP或AlGaInP,以及
作为所述活性层的发射波长和所述垂直谐振器结构的振荡波长之间的差的波长失谐是15nm或更大。
10.如权利要求1所述的校正电路,
其中,所述活性层包括GaAs或AlGaAs,以及
作为所述活性层的发射波长和所述垂直谐振器结构的振荡波长之间的差的波长失谐是13nm或更大。
11.一种驱动电路,包括:
电流源,其以脉冲方式驱动表面发射半导体激光器;以及
校正电路,具有RC时间常数电路,并使用所述RC时间常数电路来校正从所述电流源输出的电流脉冲的波形,以使得所述半导体激光器的光输出的脉冲波形近似为矩形。
12.一种发光设备,包括:
一个或多个表面发射半导体激光器;
电流源,以脉冲方式驱动所述表面发射半导体激光器;以及
校正电路,具有RC时间常数电路,并使用所述RC时间常数电路来校正从所述电流源输出的电流脉冲的波形,以使得所述半导体激光器的光输出的脉冲波形近似为矩形。
13.一种校正电流脉冲波形的方法,
其中,使用包括RC时间常数电路的校正电路来校正从电流源输出的电流脉冲的波形,以使得表面发射半导体激光器的光输出的脉冲波形近似为矩形,所述电流源以脉冲方式驱动所述半导体激光器。
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