[发明专利]电容的器件失配的修正方法有效

专利信息
申请号: 201010271615.X 申请日: 2010-09-03
公开(公告)号: CN102385645A 公开(公告)日: 2012-03-21
发明(设计)人: 周天舒;王正楠 申请(专利权)人: 上海华虹NEC电子有限公司
主分类号: G06F17/50 分类号: G06F17/50
代理公司: 上海浦一知识产权代理有限公司 31211 代理人: 丁纪铁
地址: 201206 上*** 国省代码: 上海;31
权利要求书: 查看更多 说明书: 查看更多
摘要:
搜索关键词: 电容 器件 失配 修正 方法
【说明书】:

技术领域

发明涉及一种半导体器件的失配修正方法。

背景技术

在集成电路设计和生产过程中,由于不确定性、随机误差、梯度误差等原因,一些设计时完全相同的半导体器件生产后却存在偏差,这便称为半导体器件的失配(mismatch)。器件失配会引起器件结构参数和电学参数变化,从而极大地影响模拟电路的特性。随着半导体生产工艺发展,器件尺寸不断缩小,器件失配主要由随机误差造成,而这种随机误差通常是由集成电路生产工艺引起的。

SPICE(Simulation Program with Integrated Circuit Emphasis)是一款通用的集成电路仿真软件。由于器件失配对集成电路的影响很大,有必要通过软件仿真及早发现并加以修正。目前SPICE软件中缺少针对电容的器件失配模型。

发明内容

本发明所要解决的技术问题是提供一种电容的器件失配模型,该模型可在SPICE软件中对电容由于随机误差导致的失配进行仿真并予以修正。

为解决上述技术问题,本发明电容的器件失配的修正方法为:

首先,确定电容的工艺失配参数为3个,分别为面积型电容密度(area-dominated capacitance density)、周长型电容密度(perimeter-dominated capacitance density)、电容值(Capacitance);

其次,设定面积型电容密度的随机偏差

设定周长型电容密度的随机偏差

设定电容值的随机偏差

其中W为电容宽度、L为电容长度、D为电容之间的间距,SΔCA、TΔCA、SΔCP1、SΔCP2、TΔCP为随机偏差修正因子;

再次,对电容的器件失配进行修正,具体包括:

C=CA_original×(W×L)×[1+W×L×SΔCAW×L×agauss(0,1,3)+D×TΔCA×agauss(0,1,3)]]]>

下载完整专利技术内容需要扣除积分,VIP会员可以免费下载。

该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于上海华虹NEC电子有限公司,未经上海华虹NEC电子有限公司许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服

本文链接:http://www.vipzhuanli.com/pat/books/201010271615.X/2.html,转载请声明来源钻瓜专利网。

×

专利文献下载

说明:

1、专利原文基于中国国家知识产权局专利说明书;

2、支持发明专利 、实用新型专利、外观设计专利(升级中);

3、专利数据每周两次同步更新,支持Adobe PDF格式;

4、内容包括专利技术的结构示意图流程工艺图技术构造图

5、已全新升级为极速版,下载速度显著提升!欢迎使用!

请您登陆后,进行下载,点击【登陆】 【注册】

关于我们 寻求报道 投稿须知 广告合作 版权声明 网站地图 友情链接 企业标识 联系我们

钻瓜专利网在线咨询

周一至周五 9:00-18:00

咨询在线客服咨询在线客服
tel code back_top