[发明专利]一种升压时钟电路和带该升压时钟电路的电荷泵有效

专利信息
申请号: 201010271174.3 申请日: 2010-09-01
公开(公告)号: CN102386762A 公开(公告)日: 2012-03-21
发明(设计)人: 杨光军 申请(专利权)人: 上海宏力半导体制造有限公司
主分类号: H02M3/07 分类号: H02M3/07
代理公司: 上海智信专利代理有限公司 31002 代理人: 王洁
地址: 201203 上海市*** 国省代码: 上海;31
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摘要:
搜索关键词: 一种 升压 时钟 电路 电荷
【说明书】:

技术领域

发明属于电荷泵技术领域,具体涉及一种升压时钟电路和带该升压时钟电路的电荷泵。

背景技术

电荷泵,又称为开关电容式电压变换器,是一种利用“快速”(flying)或“泵送”电容来储能的直流-直流(DC-DC)变换器.电荷泵能使输入电压升高或降低,也可以用于产生负电压。传统的电荷泵通过控制快速电容器的充电和放电,使输入电压以一定因数(0.5,2或3)倍增或降低,得到所需要的输出电压。

目前,常用的电荷泵都带有升压时钟电路。输入的时钟信号CK和反向时钟信号CKB通过升压时钟电路升压后输出为时钟信号CKO和反向时钟信号CKOB;相应的时钟信号CK和反向时钟信号CKB的高低电平差VH增加到输出的时钟信号CKO和反向时钟信号CKOB的高低电平差VOH。这种方法可以方便、有效地提高电荷泵的效率,特别是对于工作电压较低的电荷泵。

图1A是一种现有技术中带升压时钟电路的电荷泵电路。该电荷泵(CHARGE PUMP)的输入电压Vin一般为VDD,经过升压时钟电路(CLOCK BOOSTCIRCUIT)升压后输出电压Vpump。在不考虑其他因素的情况下,输出电压Vpump由输入电压Vin和升压时钟电路的输出电压VOH决定。升压时钟电路如图1B所示,其由一系列的单级升压时钟电路(CK_BST)级联而成。输入的时钟信号CK和反向时钟信号CKB的高低电平差为工作电压VH。输出的时钟信号CKO和反向时钟信号CKOB的高低电平差VOH较高。CKO和CKOB用于控制电荷泵中的快速电容的充放电。

图2是现有技术中一种常见的单级升压时钟电路。从图中可以看出,该单级升压时钟电路(CK_BST)的供电电压为VDD′。当CK由高电平VH变为低电平(接地)、CKB由低电平(接地)变为高电平VH时,NMOS管m5关闭、PMOS管m3导通;NMOS管m6导通、PMOS管m4关闭;NMOS管m1导通。电容c1开始被预充电至两端的电压为VDD′,由于电容两端的电荷不能突变,因此其两端电压值不变,所以节点A的电压通过电容c1抬高到一个较高的电压VH+VDD′。由于m3导通,所以OUTB端的输出电压为VOUTB=VH+VDD′。同时节点B通过m2被预充到电压VDD′,输出端OUT通过m6接通到地(ground)。

CK由低电平(接地)变为高电平VH、CKB由高电平VH变为低电平(接地)时,NMOS管m5导通、PMOS管m3关闭;NMOS管m6关闭、PMOS管m4导通;NMOS管m2导通。电容c2开始被预充电至两端的电压为VDD′,由于电容两端的电荷不能突变,因此其两端电压值不变,所以节点B的电压通过电容c2抬高到一个较高的电压VH+VDD′。由于m4导通,所以OUT端的输出电压为VOUT=VH+VDD′。同时节点A通过m1被预充到电压VDD′,输出端OUTB通过m5接通到地(ground)。

综上所述,CK和CKB的高低电平差VH经过单级升压时钟电路(CK_BST)后变为VOH=VH+VDD′,VDD′为单级升压时钟电路(CK_BST)的供电电压。若有N级单级升压时钟电路级联组成升压时钟电路,每一级单级升压时钟电路的供电电压都相同,均为VDD′。那么该升压时钟电路最终输出的时钟信号的CKO和反向时钟信号CKOB的高点电平差VOH=VH+N*VDD′。

然而,这种结构的缺点是各单级升压时钟电路供电电压VDD′较低时,为了得到满足要求的电荷泵的输出电压Vpump,升压时钟电路的级数N就需要增大,也就是说需要更多的单级升压时钟电路(CK_BST)级联。实际电路中,电压VDD′并不是恒定不变的。有一个变化幅度。为了保证电荷泵的性能,设计升压时钟电路的级数时,以电压VDD′的最低电压为准。那么当电压VDD′为最高时,由于升压时钟电路的级数N很大、每一级单级升压时钟电路的输出的时序信号高低电平差都有增加,经升压后输出的时钟信号CKO和反向时钟信号CKOB的高低电平差就会很大。由此导致大的放电电流会带来许多不好的问题,如快速反向(snap back)或闩锁效应。

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