[发明专利]车用电子控制单元散热控制方法有效

专利信息
申请号: 201010269492.6 申请日: 2010-09-02
公开(公告)号: CN101945563A 公开(公告)日: 2011-01-12
发明(设计)人: 雷雨龙;刘振杰;李永军;焦育成;刘四海;李永发;张祥平 申请(专利权)人: 吉林大学
主分类号: H05K7/20 分类号: H05K7/20
代理公司: 长春吉大专利代理有限责任公司 22201 代理人: 齐安全
地址: 130012 吉*** 国省代码: 吉林;22
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摘要:
搜索关键词: 用电 控制 单元 散热 方法
【说明书】:

技术领域

发明涉及车用的电子控制单元(ECU)的设计领域,更具体地说,本发明涉及一种车用电子控制单元散热的控制方法。

背景技术

电子组件的主要失效形式是热失效。随着温度的增加,其失效率呈指数增长趋势。在电子行业中,器件环境温度每升高10℃时,往往其失效率增加一个数量级,这就是所谓的“10℃法则”。根据相关文献记载,电子设备的失效率有55%是温度超过规定的值引起的,因此,对电子设备而言,即使是降低1℃,也将使设备的失效率降低一个可观的量值,这对于可靠性要求高的电子系统尤为重要。例如,民航的电子设备每降低1℃,一定温度下其失效率将下降4%;再如:P111500芯片,其集成的元器件数目达到了百万之多,运行温度显著提高,虽然采用了散热片、风扇等措施来进行冷却降温,但仍得不到所要求的效果,Intel公司不得不将其工作电压从5V降低到3V,甚至更低,以减小其功耗,控制内部温度,保证其正常工作。可见,温升的控制或热设计是十分重要的。

散热控制的目的是利用热的传递特性,在充分掌握各种设备热失效参数的前提下,通过优化设计热流通路,降低设备与散热环境之间的热阻,比如提供一个温度比较低的散热器,以较少的冷却代价把设备内部有害的热量尽可能释放掉,使设备在其所处环境条件下,保持在可靠性要求所规定的温度范围之内,确保设备、安全地工作。

国内车用的电子控制单元的研制现在已取得了一定的成绩,但在产业化之前,关于车用的电子控制单元的散热、振动等研究工作还没有在做,所以当车用的电子控制单元工作在恶劣的环境下时,其热稳定性不能得到保证,会经常出现车用的电子控制单元芯片烧掉的情况。

发明内容

本发明所要解决的技术问题是克服车用的电子控制单元工作在恶劣的环境下其热稳定性不能得到保证而经常出现车用的电子控制单元芯片烧掉的问题,提供了一种车用的电子控制单元散热的控制方法。

为解决上述技术问题,本发明是采用如下技术方案实现的:所述的车用电子控制单元散热控制方法包括如下步骤:

1.确定车用电子控制单元中额定功率≥50mW的大功率元器件、额定功率≥50mw的大功率元器件的热阻及额定功率≥50mw的大功率元器件允许的最高工作温度。

2.仿真分析额定功率≥50mW的大功率元器件的电流变化情况,测得主要驱动模块驱动负载两端的电流。

3.计算各个额定功率≥50mw的大功率元器件的功耗和平均功耗。

4.确定车用电子控制单元中PCB板的层叠结构、材料、布线、含铜率及散热方式并确定车用电子控制单元工作时的外界条件。

所述车用的电子控制单元工作时的外界条件包括工作温度、风速、是否有散热装置,散热装置与电子控制单元的相对位置关系。

5.建立车用电子控制单元的热仿真模型求解计算车用电子控制单元的最高工作温度及其整体温度分布情况。

6.根据热仿真模型计算结果设计车用电子控制单元的散热方式降低其工作时的温度。

技术方案中所述的确定车用电子控制单元中额定功率≥50mw的大功率元器件、额定功率≥50mw的大功率元器件的热阻及额定功率≥50mw的大功率元器件允许的最高工作温度包括如下步骤:

1.确定车用电子控制单元中PCB板上额定功率≥50mw的大功率元器件,并由额定功率≥50mw的大功率元器件供应商那获得额定功率≥50mw的大功率元器件封装类型以及额定功率≥50mw的大功率元器件的热阻,包括结到壳体和结到底板的热阻。

2.对于车用的电子控制单元内大部分电阻,由于流过的电流非常小,将其简化成覆在PCB板上的功耗。

3.确定车用的电子控制单元壳体与PCB板接触部分导热胶的厚度及导热系数。

4.额定功率≥50mw的大功率元器件的额定最大功耗由额定最大工作电压和额定最大工作电流的乘积得到。

技术方案中所述的仿真分析额定功率≥50mw的大功率元器件的电流变化情况,测得主要驱动模块驱动负载两端的电流包括如下步骤:

1.采用驱动仿真试验电路验证额定功率≥50mw的大功率元器件的大电流驱动电路的可行性。

2.驱动模块电路试制完成后,通过试验测得负载两端电流在一个周期内的变化情况。

技术方案中所述的计算各个额定功率≥50mw的大功率元器件的功耗和平均功耗包括如下步骤:

1.功率MOSFET管上消耗的功率和平均功耗计算,

2.功率二极管上消耗的功率和平均功耗计算。

技术方案中所述的功率MOSFET管上消耗的功率和平均功耗计算包括如下步骤:

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