[发明专利]光学器件及其制造方法和母板的制造方法有效
申请号: | 201010265401.1 | 申请日: | 2010-08-26 |
公开(公告)号: | CN102004272A | 公开(公告)日: | 2011-04-06 |
发明(设计)人: | 远藤惣铭;林部和弥 | 申请(专利权)人: | 索尼公司 |
主分类号: | G02B1/11 | 分类号: | G02B1/11;G03F7/00 |
代理公司: | 北京康信知识产权代理有限责任公司 11240 | 代理人: | 余刚;吴孟秋 |
地址: | 日本*** | 国省代码: | 日本;JP |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | |||
搜索关键词: | 光学 器件 及其 制造 方法 母板 | ||
1.一种光学器件,具有防反射功能,所述光学器件包括:
基底;以及
多个结构体,由凸部或凹部形成,以等于或小于可见光波长的微小节距配置在所述基底的表面上,
其中,所述多个结构体被配置为在所述基底的表面上形成多列轨迹,并且形成准六方点阵图案、四方点阵图案或准四方点阵图案,并且
其中,所述结构体对所述基底的表面的填充率等于或高于65%。
2.根据权利要求1所述的光学器件,其中,所述结构体对所述基底的表面的填充率等于或高于73%。
3.根据权利要求2所述的光学器件,其中,所述结构体对所述基底的表面的填充率等于或高于86%。
4.根据权利要求1所述的光学器件,
其中,所述多个结构体被配置为形成具有直线形状的多列轨迹,并形成准六方点阵图案,并且
其中,在所述轨迹的延伸方向上的所述结构体的高度或深度小于在所述轨迹的列方向上的所述结构体的高度或深度。
5.根据权利要求1所述的光学器件,
其中,所述多个结构体被配置为形成具有直线形状的多列轨迹,并形成四方点阵图案或准四方点阵图案,并且
其中,在相对于所述轨迹延伸方向倾斜的配置方向上的所述结构体的高度或深度小于在所述轨迹的延伸方向上的所述结构体的高度或深度。
6.根据权利要求1所述的光学器件,其中,在同一轨迹内的所述多个结构体的配置节距P1大于两个相邻轨迹之间的所述多个结构体的配置节距P2。
7.根据权利要求1所述的光学器件,
其中,所述多个结构体在所述基底的表面上形成六方点阵图案或准六方点阵图案,并且
其中,当同一轨迹内的所述多个结构体的配置节距为P1并且两个相邻轨迹之间的所述多个结构体的配置节距为P2时,P1/P2的比率满足关系1.00≤P1/P2≤1.1或1.00<P1/P2≤1.1。
8.根据权利要求1所述的光学器件,
其中,所述多个结构体在所述基底的表面上形成四方点阵图案或准四方点阵图案,并且
其中,当同一轨迹内的所述多个结构体的配置节距为P1并且两个相邻轨迹之间的所述多个结构体的配置节距为P2时,P1/P2的比率满足关系1.4<P1/P2≤1.5。
9.一种光学器件,具有防反射功能,所述光学器件包括:
基底;以及
多个结构体,由凸部或凹部形成,以等于或小于可见光波长的微小节距配置在所述基底的表面上,
其中,所述多个结构体被配置为在所述基底的表面上形成多列轨迹,并且形成准六方点阵图案,并且
其中,当同一轨迹内的所述多个结构体的配置节距为P1并且所述结构体的底面在所述轨迹方向上的直径为2r时,所述直径2r与所述配置节距P1的比率((2r/P1)×100)等于或高于85%。
10.根据权利要求9所述的光学器件,其中,所述直径2r与所述配置节距P1的比率((2r/P1)×100)等于或高于90%。
11.根据权利要求10所述的光学器件,其中,所述直径2r与所述配置节距P1的比率((2r/P1)×100)等于或高于95%。
12.一种光学器件,具有防反射功能,所述光学器件包括:
基底;以及
多个结构体,由凸部或凹部形成,以等于或小于可见光波长的微小节距配置在所述基底的表面上,
其中,所述多个结构体被配置为在所述基底的表面上形成多列轨迹,并且形成四方点阵图案或准四方点阵图案,并且
其中,当同一轨迹内的所述多个结构体的配置节距为P1并且所述结构体的底面在所述轨迹方向上直径为2r时,所述直径2r与所述配置节距P1的比率((2r/P1)×100)等于或高于64%。
13.根据权利要求12所述的光学器件,其中,所述直径2r与所述配置节距P1的比率((2r/P1)×100)等于或高于69%。
14.根据权利要求13所述的光学器件,其中,所述直径2r与所述配置节距P1的比率((2r/P1)×100)等于或高于73%。
15.一种显示装置,包括根据权利要求1至14中的任一项所述的光学器件。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于索尼公司,未经索尼公司许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
本文链接:http://www.vipzhuanli.com/pat/books/201010265401.1/1.html,转载请声明来源钻瓜专利网。