[发明专利]一种基于扇区的闪存坏块屏蔽方法

说明书

技术领域

本发明涉及一种基于扇区的闪存坏块屏蔽方法。

背景技术

闪存Flash作为一种存储介质，由于其较高的性价比，在存储领域得到广泛的应用。由于生产工艺的问题，Flash供应商无法保证出厂的芯片没有缺陷，这就需要使用者在应用过程中自行识别有缺陷的存储区，并做出相应的处理。由于大容量Flash是以块为最小的可擦除单元(整个Flash由若干个块组成，每个块由若干个页组成，每个页由若干个字节组成)，所以一般对有缺陷的存储区也是按块来处理。

但是，这种管理方法存在缺陷。只要一个块中有一个页是坏的，这个块就作为坏块处理。当Flash中坏块较多时，容量就会明显下降。因此如何充分利用存储介质中的好页空间，成为本领域技术人员努力的方向。

发明内容

本发明目的是提供一种基于扇区的闪存坏块屏蔽方法，该方法把存在坏扇区的物理层映射成连续线性存储介质，从而最大限度的扩大存储介质有效容量。

为达到上述目的，本发明采用的技术方案是：

一种基于扇区的闪存坏块屏蔽方法，包括以下步骤：

步骤一、扫描闪存各物理块，获得各物理块内各物理页相应的扇区状态，该扇区状态表示物理页中有效扇区在该物理页中的分布和数目，该物理块由至少一个物理页组成，每个物理页至少由一个扇区组成，物理块内扇区地址由物理页号和物理扇区号确定；

步骤二、综合物理块内各物理页扇区状态确定该物理块的扇区模式，扇区模式确定方式为：将物理扇区号相同且至少有一个无效扇区的列设置为无效列，将物理扇区号相同且全部扇区为有效扇区的列设置为有效列，然后根据无效列和有效列分布确定该物理块的扇区模式，该扇区模式表示实际有效扇区的分布情况和数目；

步骤三、所述闪存分为至少一个组，将扇区模式相同的物理块分在同一个组，获得物理块编号表；

步骤四、根据所述组内物理块数目和相应的扇区模式获得所述各分组的容量表，该分组容量表表示各个组的实际有效容量；

步骤五、根据所述分组容量表确定应用层访问的扇区号所在分组号和该分组内偏移量；

步骤六、根据所述分组的扇区模式，通过所述偏移量获得该分组的虚拟块号、物理页号、页内虚拟扇区偏移量；

步骤七、根据所述分组的虚拟块号并结合物理块编号表获得应用层访问的物理块号，根据所述页内虚拟扇区偏移量并结合该物理块号的扇区模式获得所述页内虚拟扇区偏移量对应的页内物理扇区偏移量；

步骤八、应用层根据步骤四至六的映射访问由所述物理块号，物理页号和页内物理扇区偏移量所定位的扇区。

上述技术方案中的有关内容解释如下：

1、上述方案中，所述分组号为所述应用层访问的扇区号所在的分组，所述偏移量为在该分组内的偏移数目。

2、上述方案中，所述虚拟块号计算方式为：所述偏移量整除该分区物理块的有效扇区数目；所述物理页号计算方式为：所述偏移量对该分区物理块的有效扇区数目取余后，再整除物理页的有效扇区数目；所述页内虚拟扇区偏移量为所述偏移对物理页的有效扇区数目取余。

3、上述方案中，所述无效扇区用一个比特位0表示，：所述有效扇区用一个比特位1表示。

4、上述方案中，所述各个分组的容量为：分组的物理块数目乘以该物理块内有效扇区数目。

由于上述技术方案运用，本发明与现有技术相比具有下列优点和效果：

本发明把下层实际存在物理坏扇区的Flash闪存映射成连续的线性存储介质，同时最大限度的扩大使用容量。上层应用软件可以透明地使用线性地址去读写Flash闪存，而不必关心Flash闪存上的坏扇区。

附图说明

附图1为闪存存储结构示意图；

附图2为本发明扇区状态表示意图；

附图3为本发明物理块编号表示意图；

附图4为本发明扇区模式组示意图；

附图5为本发明分组容量表示意图。

具体实施方式

下面结合附图及实施例对本发明作进一步描述：

实施例：一种基于扇区的闪存坏块屏蔽方法，包括以下步骤：

步骤一、扫描闪存各物理块，获得各物理块内各物理页相应的扇区状态，该扇区状态表示物理页中有效扇区在该物理页中的分布和数目，该物理块由至少一个物理页组成，每个物理页至少由一个扇区组成，物理块内扇区地址由物理页号和物理扇区号确定；