[发明专利]一种高透过率触摸屏透明导电玻璃及其制备方法无效
申请号: | 201010258327.0 | 申请日: | 2010-08-17 |
公开(公告)号: | CN101921985A | 公开(公告)日: | 2010-12-22 |
发明(设计)人: | 陈奇;许沭华;张兵;李林;罗雷;夏大映;朱磊 | 申请(专利权)人: | 芜湖长信科技股份有限公司 |
主分类号: | C23C14/08 | 分类号: | C23C14/08;C23C14/34 |
代理公司: | 芜湖安汇知识产权代理有限公司 34107 | 代理人: | 张小虹 |
地址: | 241009 安徽省*** | 国省代码: | 安徽;34 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 一种 透过 触摸屏 透明 导电 玻璃 及其 制备 方法 | ||
1.一种高透过率触摸屏透明导电玻璃,其特征在于:所述的高透过率触摸屏透明导电玻璃包括玻璃基板(1),以及在玻璃基板(1)的至少一个表面依次沉积一组光学增透膜和ITO膜层(4),所述的光学增透膜包括TiO2薄膜层(2)和SiO2薄膜层(3)。
2.根据权利要求1所述的一种高透过率触摸屏透明导电玻璃,其特征在于:所述的高透过率触摸屏透明导电玻璃为在玻璃基板(1)的一个表面上通过钛板直流反应溅射技术设置一层TiO2薄膜层(2),在TiO2薄膜层(2)的另一面上通过硅靶中频反应溅射技术设置一层SiO2薄膜层(3),最后通过ITO靶材直流溅射技术在SiO2薄膜层(3)的另一面上设置ITO膜层(4)。
3.根据权利要求1所述的一种高透过率触摸屏透明导电玻璃,其特征在于:所述的高透过率触摸屏透明导电玻璃为在玻璃基板(1)的一个表面上通过钛板直流反应溅射技术设置一层TiO2薄膜层(2),在TiO2薄膜层(2)的另一面上通过硅靶中频反应溅射技术设置一层SiO2薄膜层(3),通过ITO靶材直流溅射技术在SiO2薄膜层(3)的另一面上设置ITO膜层(4);所述的玻璃基板(1)的另一个表面上通过钛板直流反应溅射技术设置一层TiO2薄膜层(2),在TiO2薄膜层(2)的另一面上通过硅靶中频反应溅射技术设置一层SiO2薄膜层(3)。
4.根据权利要求1-3任一项权利要求所述的一种高透过率触摸屏透明导电玻璃,其特征在于:所述的玻璃基板(1)为超薄浮法玻璃基板。
5.根据权利要求4所述的一种高透过率触摸屏透明导电玻璃,其特征在于:所述的TiO2薄膜层(2)、SiO2薄膜层(3)以及ITO膜层(4)在连续式真空镀膜机中一次性完成。
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