[发明专利]一种基于NPB和BND的紫外光探测器无效
| 申请号： | 201010256417.6 | 申请日： | 2010-08-18 |
| 公开（公告）号： | CN101964397A | 公开（公告）日： | 2011-02-02 |
| 发明（设计）人： | 代千;张希清;孙建;王永生 | 申请（专利权）人： | 北京交通大学 |
| 主分类号： | H01L51/42 | 分类号： | H01L51/42;H01L51/46;G01J1/42 |
| 代理公司： | 暂无信息 | 代理人： | 暂无信息 |
| 地址： | 100044 北*** | 国省代码： | 北京;11 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 基于 npb bnd 紫外光 探测器 | ||
【权利要求书】：
1.一种基于NPB和BND的紫外光探测器，该紫外光探测器包括ITO导电玻璃阳极(4)、氟化锂阴极修饰层(2)、铝金属薄膜阴极(1)，在ITO导电玻璃阳极(4)和氟化锂阴极修饰层(2)之间为功能层(3)，其特征是：功能层(3)为N，N′-(1-萘基)-N，N′-二苯基-4，4′-联苯二胺和2，5-(4-二萘基)-1，3，4-恶二唑的混合层，其质量比例为4∶1。
2.根据权利要求1所述的一种基于NPB和BND的紫外光探测器，其特征是功能层(3)的厚度为80～120nm。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于北京交通大学，未经北京交通大学许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/pat/books/201010256417.6/1.html，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇：在存储器装置的编程期间的电荷损失补偿
- 下一篇：带有转动手柄的开关装置
- 同类专利
- 专利分类
H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L51-00 使用有机材料作有源部分或使用有机材料与其他材料的组合作有源部分的固态器件；专门适用于制造或处理这些器件或其部件的工艺方法或设备
H01L51-05 .专门适用于整流、放大、振荡或切换且并具有至少一个电位跃变势垒或表面势垒的；具有至少一个电位跃变势垒或表面势垒的电容器或电阻器
H01L51-42 .专门适用于感应红外线辐射、光、较短波长的电磁辐射或微粒辐射；专门适用于将这些辐射能转换为电能，或者适用于通过这样的辐射进行电能的控制
H01L51-50 .专门适用于光发射的，如有机发光二极管
H01L51-52 ..器件的零部件
H01L51-54 .. 材料选择
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L51-00 使用有机材料作有源部分或使用有机材料与其他材料的组合作有源部分的固态器件；专门适用于制造或处理这些器件或其部件的工艺方法或设备
H01L51-05 .专门适用于整流、放大、振荡或切换且并具有至少一个电位跃变势垒或表面势垒的；具有至少一个电位跃变势垒或表面势垒的电容器或电阻器
H01L51-42 .专门适用于感应红外线辐射、光、较短波长的电磁辐射或微粒辐射；专门适用于将这些辐射能转换为电能，或者适用于通过这样的辐射进行电能的控制
H01L51-50 .专门适用于光发射的，如有机发光二极管
H01L51-52 ..器件的零部件
H01L51-54 .. 材料选择
