[发明专利]一种晶体硅太阳能电池双层减反射膜及其制备方法无效

专利信息
申请号: 201010249434.7 申请日: 2010-08-10
公开(公告)号: CN101969075A 公开(公告)日: 2011-02-09
发明(设计)人: 张凤;王栩生;章灵军 申请(专利权)人: 苏州阿特斯阳光电力科技有限公司;阿特斯(中国)投资有限公司
主分类号: H01L31/0216 分类号: H01L31/0216;H01L31/18
代理公司: 苏州创元专利商标事务所有限公司 32103 代理人: 陶海锋
地址: 215129 江苏*** 国省代码: 江苏;32
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摘要:
搜索关键词: 一种 晶体 太阳能电池 双层 减反射膜 及其 制备 方法
【权利要求书】:

1.一种晶体硅太阳能电池双层减反射膜,该减反射膜是由两层膜构成,第一层膜设在晶体硅太阳能电池的硅片衬底的表面,第二层膜设在第一层膜的表面,其特征在于:第一层膜为二氧化硅薄膜,其厚度为10~20nm,折射率为1.45~1.47;第二层膜为二氧化钛薄膜,其厚度为50~60nm,折射率为2.15~2.45。

2.根据权利要求1所述的晶体硅太阳能电池双层减反射膜,其特征在于:第一层膜和第二层膜的综合膜厚为60~80nm,综合折射率2.06~2.18。

3.一种晶体硅太阳能电池双层减反射膜的制备方法,包括如下步骤:

按照电池常规前道工序处理方法,对硅片进行硅片清洗制绒、扩散制备PN结、刻蚀去除硅片四周的PN结、清洗去除磷硅玻璃,

其特征在于,然后包括以下步骤:

(1)采用热氧化方法在硅片衬底的表面生长一层二氧化硅薄膜,薄膜的折射率为1.45~1.47,厚度为10~20nm;

(2)采用溶胶凝胶法在步骤(1)的二氧化硅薄膜表面形成折射率为2.15~2.45、厚度为50~60nm的二氧化钛薄膜;

(3)在上述二氧化钛薄膜上印刷正反面电极、背场,后进行烧结操作。

4.根据权利要求3所述的制备方法,其特征在于:二氧化硅薄膜和二氧化钛薄膜的综合膜厚为60~80nm,综合折射率2.06~2.18。

5.根据权利要求3所述的制备方法,其特征在于:所述步骤(1)的工艺温度为800~900℃,反应气体N2流量为10~30L/min,O2流量为10~30L/min,反应时间为10~60min。

6.根据权利要求3所述的制备方法,其特征在于,所述步骤(2)包括如下步骤:

(1)将钛酸盐前躯体与醇类溶剂混合,搅拌形成透明溶液,再滴加蒸馏水,搅拌得到淡黄色溶胶;

(2)将二氧化钛粒子加入上述溶胶中,超声分散处理30~60min,形成二氧化钛粒子充分分散的涂覆浆体;

(3)将上述二氧化钛涂覆浆体采用丝网印刷方法在二氧化硅薄膜表面印刷二氧化钛薄膜,形成折射率为2.15~2.45、厚度为50~60nm的二氧化钛薄膜。

7.根据权利要求6所述的制备方法,其特征在于:所述步骤(1)中的钛酸盐前躯体为钛酸正丁酯、钛酸异丙酯或四氯化钛,所述醇类为无水乙醇、异丙醇或正丁醇。

8.根据权利要求6所述的制备方法,其特征在于:所述步骤(2)中二氧化钛粒子和步骤(1)的溶胶的重量比为1∶15~30。

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