[发明专利]激光辐照制备环状铁基非晶纳米晶软磁合金的方法无效
申请号: | 201010249145.7 | 申请日: | 2010-08-10 |
公开(公告)号: | CN101928810A | 公开(公告)日: | 2010-12-29 |
发明(设计)人: | 张国锐;鲍勇;于利蒙;马千里;蒋毅坚 | 申请(专利权)人: | 北京工业大学 |
主分类号: | C21D1/09 | 分类号: | C21D1/09;H01F1/147;H01F1/16;H01F41/00;C22C45/02 |
代理公司: | 北京思海天达知识产权代理有限公司 11203 | 代理人: | 吴荫芳 |
地址: | 100124 *** | 国省代码: | 北京;11 |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | |||
搜索关键词: | 激光 辐照 制备 环状 铁基非晶 纳米 晶软磁 合金 方法 | ||
技术领域
激光辐照制备环状铁基非晶纳米晶软磁合金的方法属于纳米材料技术领域,特别涉及一种激光辐照制备环状铁基非晶纳米晶软磁合金的方法。
背景技术
目前研究开发应用的铁基软磁合金材料主要是FeCuMSiB型合金。FeCuMSiB型合金的典型成分为Fe73.5Cu1Nb3Si13.5B9(商品牌号为Finemet)。铁基纳米晶软磁合金具有高磁导率、高饱和磁通、低矫顽力、低铁损、频散特性好等优点,可作为变压器、互感器、电感器和传感器铁芯及磁屏蔽材料等,在电力电子工业领域具有广泛的应用前景。
铁基纳米晶合金一般通过晶化方法制备,即用晶化的方法在非晶材料中形成部分α-Fe(Si)纳米晶组织,从而改善其综合软磁性能。由于这种材料的优异性能和重要的应用价值,成为全世界范围的重点研究材料之一。迄今,退火晶化是应用最广的一种手段,一般的退火处理时采用各种加热炉进行热处理,如真空感应炉等。但退火工艺也有一些缺点:工艺比较复杂,退火处理由于操作疏忽造成材料很高的报废率,能耗高,且材料脆性高,严重影响了材料的应用;同时,退火晶化除α-Fe(Si)晶体相形成外,经常伴有对磁性能有害的Fe-B相形成。
在激光表面晶化制备铁基非晶纳米晶软磁合金的方法(专利申请号200510045640.5)中,针对铁基非晶带FeCuMSiB型和FeMB型合金,利用CO2激光和Nd:YAG脉冲激光实现表面纳米晶化。而铁基非晶纳米晶软磁材料的激光诱导表面纳米化制备方法(专利申请号200910010352.4)针对前者存在的脆性问题,选择了Nd:YAG脉冲激光对带状材料一次或多次进行扫描辐照,然而非晶纳米晶带状材料应用时一般都要经过盘绕以圆盘状的形式去应用,材料经过激光辐照处理后变脆是不可避免的,严格控制材料脆性对激光处理工艺要求比较苛刻,同时对原始材料的同一性也有较高的要求。
发明内容
针对现有技术存在的问题,本发明提供一种在常温常压下可控、快速地用激光辐照制备环状铁基非晶纳米晶软磁合金的方法。
为了实现上述目的,本发明采用激光辐照制备环状铁基非晶纳米晶软磁合金的方法,其步骤包括:
A、采用单辊熔体急冷法生产的铁基非晶合金-Fe73.5Cu1Nb3Si13.5B9薄带材料,将其冲压成圆环片,
B、将圆环片状的薄带材料用丙酮超声波清洗干净,并吹干或者自然风干至表面干燥;
C、将圆环片状的薄带材料置于使圆环片旋转的辐照台上,并使薄带材料的触辊面朝外,
D、开动辐照台,使圆环片状的薄带材料沿轴心以500~3000r/min的速度旋转,
E、用经过聚焦镜离散的CO2激光照射薄带材料的触辊面,且光斑中心位于圆环片的环带的中部,其中离散后的CO2激光的光斑直径大于圆环片的环的宽度。
其中步骤E中的CO2激光可由经过准直扩束光路后的波长为1.07μm的掺镱光纤激光代替,且扩束后的光纤激光的光斑直径大于圆环片的环的宽度。
所述CO2激光的功率为280~500w、辐照时间为5~60s。
所述掺镱光纤激光的功率为40~55w,辐照时间5~30s。
所述离散CO2激光的聚焦镜可以调整前后位置,使触辊面上的激光的离焦光斑直径变化。
所述辐照台为采用高反射率的铝合金材料制成的圆形平台,该平台由电机带动旋转。且辐照台轴心设有与圆环片内环吻合的凸台;电机输出端与辐照台通过刚性联轴器同轴连接。
本发明的有益效果:本方法能够在常温常压下,快速、可控、环保、低能耗地利用激光辐照的方法制备出环状铁基非晶纳米晶合金。通过选择不同的优化激光辐照工艺参数,在环状非晶基体上制备出不同含量的α-Fe(Si)纳米晶化相,并控制其脆性,从而使材料综合性能得到改善。同时,探索的小体积光纤激光器可以简化工艺生产条件,方便其应用推广。
附图说明
图1是激光辐照制备环状铁基非晶纳米晶软磁合金的方法中实施例所用的辐照台的结构示意图。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于北京工业大学,未经北京工业大学许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
本文链接:http://www.vipzhuanli.com/pat/books/201010249145.7/2.html,转载请声明来源钻瓜专利网。