[发明专利]一种低阻高TCR非晶硅薄膜电阻及其制备方法

权利要求书

1.一种低阻高TCR非晶硅薄膜电阻，包括玻璃衬底(1)、非晶硅薄膜(2)、金属电极(3)；所述非晶硅薄膜(2)由薄膜沉积工艺沉积于玻璃衬底(1)上；所述金属电极(3)由薄膜沉积工艺沉积于非晶硅薄膜(2)上；其特征在于，所述金属电极(3)为一对叉指电极。

2.根据权利要求1所述的低阻高TCR非晶硅薄膜电阻，其特征在于，所述叉指电极包含一个或多个叉指周期。

3.根据权利要求1所述的低阻高TCR非晶硅薄膜电阻，其特征在于，所述金属电极(3)材料为铜、铝、钨、钛、铂、镍铬合金或者任何一种它们的合金。

4.一种低阻高TCR非晶硅薄膜电阻的制备方法，包括以下步骤：

步骤1：在玻璃衬底(1)表面沉积非晶硅薄膜；

步骤2：利用磁控溅射设备或真空镀膜机，在非晶硅薄膜(2)上沉积一层金属；

步骤3：采用光刻工艺，将非晶硅薄膜表面的金属层刻蚀成叉指电极形状。

5.根据权利要求5所述的低阻高TCR非晶硅薄膜电阻的制备方法，其特征在于，步骤1在在玻璃衬底(1)表面沉积非晶硅薄膜时，采用的是PECVD工艺。

6.根据权利要求5所述的低阻高TCR非晶硅薄膜电阻的制备方法，其特征在于，步骤3将非晶硅薄膜表面的金属层刻蚀成叉指电极形状的具体光刻工艺过程为：首先清洁非晶硅薄膜(2)表面的金属层，烘烤除去水汽后，在金属层表面涂覆光刻胶；然后采用具有叉指结构的光刻掩膜板，利用光刻机对涂覆的光刻胶进行曝光，显影后剥离不需要的光刻胶；最后利用干法刻蚀气体进行刻蚀，去除剩于的光刻胶，在非晶硅薄膜(2)表面得到具有叉指结构的金属电极(3)。

7.根据权利要求5所述的低阻高TCR非晶硅薄膜电阻的制备方法，其特征在于，步骤2中所述金属层材料为铜、铝、钨、钛、铂、镍铬合金或者任何一种它们的合金。