[发明专利]一种高压功率半导体器件的边缘终端结构无效
| 申请号： | 201010246809.4 | 申请日： | 2010-08-06 |
| 公开（公告）号： | CN101969068A | 公开（公告）日： | 2011-02-09 |
| 发明（设计）人： | 胡佳贤;韩雁;张世峰;张斌 | 申请（专利权）人： | 浙江大学 |
| 主分类号： | H01L29/06 | 分类号： | H01L29/06;H01L27/02 |
| 代理公司： | 杭州天勤知识产权代理有限公司 33224 | 代理人： | 胡红娟 |
| 地址： | 310027 浙*** | 国省代码： | 浙江;33 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 高压 功率 半导体器件 边缘 终端 结构 | ||
【权利要求书】：
1.一种高压功率半导体器件的边缘终端结构，包括若干个将功率半导体器件环绕、与衬底具有相反导电类型的场限环，其特征在于，在场限环单侧或两侧设有与场限环导电类型相同，掺杂浓度小于场限环的掺杂区域。
2.根据权利要求1所述的高压功率半导体器件的边缘终端结构，其特征在于，所述的场限环上覆有场板，场限环与场板之间用二氧化硅层间隔。
3.根据权利要求2所述的高压功率半导体器件的边缘终端结构，其特征在于，所述的场板的材料选自铜、铝、多晶硅、掺氧多晶硅。
4.根据权利要求3所述的高压功率半导体器件的边缘终端结构，其特征在于，相邻的场板之间用二氧化硅间隔，该二氧化硅厚度大于场限环与场板之间的二氧化硅层。
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