[发明专利]一种化学机械抛光液有效
| 申请号： | 201010238420.5 | 申请日： | 2010-07-21 |
| 公开（公告）号： | CN102051129A | 公开（公告）日： | 2011-05-11 |
| 发明（设计）人： | 王晨;何华锋 | 申请（专利权）人： | 安集微电子(上海)有限公司 |
| 主分类号： | C09G1/02 | 分类号： | C09G1/02;C23F3/04 |
| 代理公司： | 上海翰鸿律师事务所 31246 | 代理人： | 李佳铭 |
| 地址： | 201203 上海市浦东新区张江高*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 化学 机械抛光 | ||
1.一种化学机械抛光液，其含有：激发剂，强氧化剂前体(precursor)，研磨剂和水。
2.根据权利要求1所述的抛光液，所述的激发剂为由银离子和氧化剂组成的组合物。
3.根据权利要求2所述的抛光液，所述的银离子来自于银盐。
4.根据权利要求3所述的抛光液，所述银盐为氟化银、高氯酸银、硫酸银和/或硝酸银。
5.根据权利要求3所述的抛光液，所述的银盐重量百分比0.05％～0.3％。
6.根据权利要求2所述的抛光液，所述的氧化剂为过氧化物。
7.根据权利要求6所述的抛光液，所述的过氧化物为过氧化氢、过硫酸铵和/或单过硫酸钾中的一种或多种。
8.根据权利要求2所述的抛光液，所述的氧化剂的重量百分比为0.1～5％。
9.根据权利要求1所述的抛光液，所述的强氧化剂前体(precursor)为非硝酸根阴离子。
10.根据权利要求9所述的抛光液，所述的非硝酸根阴离子为硫酸根离子。
11.根据权利要求10所述的抛光液，所述的硫酸根离子来自于硫酸盐。
12.根据权利要求11所述的抛光液，所述的硫酸盐为非金属硫酸盐。
13.根据权利要求12所述的抛光液，所述的非金属硫酸盐为硫酸铵。
14.根据权利要求11所述的抛光液，所述的硫酸盐为金属硫酸盐。
15.根据权利要求14所述的抛光液，所述的金属硫酸盐为硫酸锰、硫酸钾 和/或硫酸锌中的一种或多种。
16.根据权利要求1所述的抛光液，所述的研磨剂为气相二氧化硅、硅溶胶、氧化铝和/或氧化铈中的一种或多种。
17.根据权利要求1所述的抛光液，所述的研磨剂的重量百分比为0.1～10％。
18.根据权利要求1所述的抛光液，还含有pH调节剂。
19.根据权利要求1所述的抛光液，所述的抛光液的pH值为0.5～5。
20.根据权利要求1所述的抛光液，还含有静态腐蚀速度(static etch rate)抑制剂。
21.根据权利要求20所述的抛光液，所述的静态腐蚀速度抑制剂为有机膦化合物。
22.根据权利要求21所述的抛光液，所述的有机膦化合物为乙二胺四甲叉膦酸(EDTMP)。
23.根据权利要求20所述的抛光液，所述的静态腐蚀速度(static etch rate)抑制剂的重量百分比为0.005～0.05％。
24.一种用于钨化学机械抛光方法，其特征在于：将根据权利要求1-22中任一项所述的抛光液用于钨化学机械抛光。
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