[发明专利]一种提高太阳能光伏电池转换效率的技术

权利要求书

1.一种提高太阳能光伏电池转换效率的技术，其特征是，采用离子注入的技术，在太阳能光伏电池前表面的透明绝缘介质掩膜层中注入正离子，或者负离子(或电子)。

2.根据权利要求1所述的一种提高太阳能光伏电池转换效率的技术，其特征是，太阳能光伏电池是半导体衬底材料制造的，具有P-N结或P-I-N结构的太阳能光伏电池，太阳能光伏电池前表面的透明绝缘介质掩膜层是可以是单层，或者多层结构的透明绝缘介质掩膜层，其厚度满足抗太阳光反射的干涉相消条件。

3.根据权利要求2所述的一种提高太阳能光伏电池转换效率的技术，其特征是，太阳能光伏电池的透明绝缘介质掩膜层与其下的半导体材料的交界面是光学平面，或者非光学平面。

4.根据权利要求1和2所述的一种提高太阳能光伏电池转换效率的技术，其特征是，当太阳能光伏电池前表面的透明绝缘介质掩膜层下层的半导体是p型半导体，则在太阳能光伏电池前表面的透明绝缘介质掩膜层中注入负离子或电子。

5.根据权利要求1和2所述的一种提高太阳能光伏电池转换效率的技术，其特征是，对太阳能光伏电池前表面的透明绝缘介质掩膜层下层的半导体是n型半导体，则太阳能光伏电池前表面的透明绝缘介质掩膜层中注入正离子。