[发明专利]光调制器像素单元及其制作方法

权利要求书

1.一种光调制器像素单元，其特征在于，包括：

衬底；

底部电极，位于所述衬底上，所述底部电极与控制电路的第一控制端电连接；顶部电极，位于所述衬底上，所述顶部电极与控制电路的第三控制端电连接，所述顶部电极为半透光的金属薄膜；

可动电极，位于所述底部电极与顶部电极之间，所述可动电极与控制电路的第二控制端电连接，所述可动电极面向顶部电极的表面为光线反射面，所述可动电极能够沿垂直于光线反射面的方向移动，所述可动电极与顶部电极之间以及所述可动电极与底部电极之间具有电绝缘材料；

所述顶部电极、可动电极、底部电极位置相对应，所述可动电极面积小于顶部电极的面积，在控制电路控制下，所述可动电极的位置会发生偏移，分别位于第一位置、第二位置和第三位置，当可动电极位于第一位置时，入射至光调制器像素单元的第一光线的经由顶部电极反射的光线与透过顶部电极的由可动电极反射的并再透过顶部电极的光线发生相消干涉；当可动电极位于第二位置时，入射至光调制器像素单元的第二光线的经由顶部电极反射的光线与透过顶部电极的由可动电极反射的并再透过顶部电极的光线发生相消干涉；当可动电极位于第三位置时，入射至光调制器像素单元的第三光线的经由顶部电极反射的光线与透过顶部电极的由可动电极反射的并再透过顶部电极的光线的发生相消干涉；所述第一光线、第二光线、第三光线为三基色光线。

2.如权利要求1所述的光调制器像素单元，其特征在于，所述控制电路位于所述衬底内，或所述控制电路形成于另一衬底内。

3.如权利要求1所述的光调制器像素单元，其特征在于，所述底部电极与所述衬底之间电学绝缘；所述顶部电极与所述衬底之间电学绝缘。

4.如权利要求1所述的光调制器像素单元，其特征在于，还包括：层间介质层，位于所述衬底上；

空腔，位于层间介质层内，所述空腔具有空腔壁，所述空腔分为第一部分和第二部分，所述第一部分位于空腔的下部，第二部分位于空腔的上部；所述底部电极位于所述空腔的第一部分与衬底之间的层间介质层内；所述顶部电极位于空腔的第二部分之上的层间介质层内；

所述可动电极位于所述空腔内，所述可动电极与所述空腔的空腔壁之间具有间隙，用于容纳可动电极的运动。

5.如权利要求4所述的光调制器像素单元，其特征在于，所述可动电极与顶部电极之间的电绝缘材料、以及可动电极与底部电极之间的电绝缘材料为层间介质层或者额外形成。

6.如权利要求4所述的光调制器像素单元，其特征在于，所述层间介质层或者额外形成的电绝缘材料为氧化硅、氮氧化硅、碳化硅、氮化硅或者其中的组合。

7.如权利要求4所述的光调制器像素单元，其特征在于，所述层间介质层内形成有多个第二导电插塞，所述多个第二导电插塞将第二控制端和可动电极电连接，所述多个第二导电插塞关于可动电极的中心对称。

8.如权利要求1所述的光调制器像素单元，其特征在于，所述顶部电极材质为金属，厚度范围为30～300埃，所述金属为银、铝、铜、钛、铂金、金、镍、钴或者其中的组合。

9.如权利要求1所述的光调制器像素单元，其特征在于，所述可动电极的材质为金属，厚度范围为800～10000埃，所述金属可以为银、铝、铜、钛、铂金、金、镍、钴或者其中的组合。