[发明专利]一种具有抗干扰保护功能的电平转移电路有效

专利信息
申请号: 201010217629.3 申请日: 2010-06-29
公开(公告)号: CN101888237A 公开(公告)日: 2010-11-17
发明(设计)人: 姚海霆 申请(专利权)人: 日银IMP微电子有限公司
主分类号: H03K19/017 分类号: H03K19/017
代理公司: 宁波奥圣专利代理事务所(普通合伙) 33226 代理人: 程晓明
地址: 315040 浙江省*** 国省代码: 浙江;33
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摘要:
搜索关键词: 一种 具有 抗干扰 保护 功能 电平 转移 电路
【说明书】:

技术领域

发明涉及一种电平转移技术,尤其是涉及一种具有抗干扰保护功能的电平转移电路。

背景技术

在许多集成电路中,为满足集成电路中不同半导体器件的耐压要求,需要将较低的电平信号转换成较高的电平信号,或者将较高的电平信号转换成较低的电平信号,电平转移(Level shift)技术即用于实现这种功能。

传统的电平转移电路通常是直接将输入信号转换成一个与输入信号相位一致的输出信号。如果是集成电路需要的输入信号送入到电平转移电路的输入端时,集成电路保持正常工作状态。但是,如果在电平转移电路的输入端产生一个干扰信号,则电平转移电路的输出端输出的输出信号则带有不确定性,可能输出一个高电平,也可能输出一个低电平。这种传统的电平转移电路输出信号的不确定性有可能会对集成电路中的半导体器件造成不可恢复的损坏,典型的例子如用电平转移电路驱动半桥驱动电路,如果电平转移电路的输出端输出的输出信号用来驱动高压侧的N型MOSFEF管,那么当低压侧的N型MOSFET管导通的同时,在电平转移电路的输入端会产生一个干扰信号,该干扰信号触发电平转移电路工作,则电平转移电路可能输出一个高电平让高压侧的N型MOSFET管导通,这时就会出现高压侧的N型MOSFET管和低压侧的N型MOSFET管同时导通的情况,高压侧的N型MOSFET管和低压侧的N型MOSFET管就会同时被损坏。

发明内容

本发明所要解决的技术问题是提供一种具有较强的抗干扰保护功能的电平转移电路,该电平转移电路能够在出现干扰信号时,保持输出端输出固定电平以关闭驱动的后续电路工作进行保护。

本发明解决上述技术问题所采用的技术方案为:一种具有抗干扰保护功能的电平转移电路,包括脉冲产生电路、第一MOS管、第二MOS管、上拉电阻、第一比较器、第二比较器、逻辑电路和RS触发器,所述的脉冲产生电路的输入端接入输入信号,所述的脉冲产生电路的第一输出端输出在输入信号的上升沿时产生的脉冲信号,所述的脉冲产生电路的第二输出端输出在输入信号的下降沿时产生的脉冲信号,所述的脉冲产生电路的第一输出端与所述的第一MOS管的栅极相连接,所述的脉冲产生电路的第二输出端与所述的第二MOS管的栅极相连接,所述的第一MOS管的源极和衬底及所述的第二MOS管的源极和衬底均接地,所述的第一MOS管的漏极和所述的第二MOS管的漏极相连接,其公共连接端分别与所述的上拉电阻的第一端、所述的第一比较器的第一输入端和所述的第二比较器的第一输入端相连接,所述的上拉电阻的第二端接高压电源,所述的第一比较器的第二输入端接入第一基准电压,所述的第二比较器的第二输入端接入第二基准电压,所述的第一基准电压小于所述的第二基准电压,所述的第一MOS管导通时所述的第一MOS管的漏极与所述的第二MOS管的漏极的公共连接端处的电压大于所述的第一基准电压且小于所述的第二基准电压,所述的第二MOS管导通时所述的第一MOS管的漏极与所述的第二MOS管的漏极的公共连接端处的电压小于所述的第一基准电压,所述的逻辑电路具有第一输入端、第二输入端、第一输出端及第二输出端,所述的逻辑电路的第一输入端与所述的第一比较器的输出端相连接,所述的逻辑电路的第二输入端与所述的第二比较器的输出端相连接,所述的第一MOS管的漏极与所述的第二MOS管的漏极的公共连接端处的电压大于所述的第一基准电压且小于所述的第二基准电压时,所述的第二比较器的输出信号发生翻转,所述的逻辑电路的第二输出端与所述的RS触发器的置位输入端相连接,所述的逻辑电路的第二输出端输出的信号作为所述的RS触发器的置位信号输入到所述的RS触发器的置位输入端,所述的RS触发器的输出端输出高电平,所述的第一MOS管的漏极与所述的第二MOS管的漏极的公共连接端处的电压小于所述的第一基准电压时,所述的第二比较器的输出信号和所述的第一比较器的输出信号先后发生翻转,所述的逻辑电路屏蔽所述的第二比较器的输出信号,所述的逻辑电路的第一输出端与所述的RS触发器的复位输入端相连接,所述的逻辑电路的第一输出端输出的信号作为所述的RS触发器的复位信号输入到所述的RS触发器的复位输入端,所述的RS触发器的输出端输出低电平。

所述的第一MOS管和所述的第二MOS管均为N沟道MOS管,所述的第一MOS管的宽长比与所述的第二MOS管的宽长比不相等。

所述的第一MOS管和所述的第二MOS管均为N沟道MOSFET管,所述的第一MOS管的宽长比与所述的第二MOS管的宽长比不相等。

所述的输入信号为方波信号。

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