[发明专利]存储器和数据处理方法有效
申请号: | 201010205835.2 | 申请日: | 2010-06-17 |
公开(公告)号: | CN101930791A | 公开(公告)日: | 2010-12-29 |
发明(设计)人: | 肥后丰;细见政功 | 申请(专利权)人: | 索尼公司 |
主分类号: | G11C11/15 | 分类号: | G11C11/15 |
代理公司: | 北京康信知识产权代理有限责任公司 11240 | 代理人: | 余刚;吴孟秋 |
地址: | 日本*** | 国省代码: | 日本;JP |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 存储器 数据处理 方法 | ||
1.一种存储器,包括:
存储器件,每个都存储1位数据;以及
读出单元,通过利用在具有预定单位数目的所述存储器件的存储组块中所包括的多个所述存储器件中的一个预定存储器件作为反转标记器件,在写入所述反转器件的1位数据是表示“0”和“1”中任一个的第一值的情况下,将写入其他存储器件的(预定单位数目-1)位的数据在位反转后读出,而在写入所述反转标记器件的1位数据是不同于所述第一值的第二值的情况下,直接读出写入所述其他存储器件的所述(预定单位数目-1)位的数据。
2.根据权利要求1所述的存储器,还包括:
写入单元,在所述第一值被写入所述反转标记器件的情况下,将所述(预定单位数目-1)位的数据在位反转后写入所述其他存储器件中,而在所述第二值被写入所述反转标记器件的情况下,将所述(预定单位数目-1)位的数据无任何变化地写入所述其他存储器件;以及
电压控制单元,其控制用于通过所述写入单元将数据写入到所述存储组块的写入电压。
3.根据权利要求2所述的存储器,
其中,所述读出单元,在所述写入单元第一次将数据写入所述存储组块的情况下,将所述第二值写入所述反转标记器件,将所述(预定单位数目-1)位的数据无任何变化地写入所述其他存储器件,并直接从所述存储组块读出写入所述其他存储器件的所述(预定单位数目-1)位的数据,以及
其中,作为直接读出所述(预定单位数目-1)位的数据的结果,在确定所述(预定单位数目-1)位的数据正确写入所述其他存储器件的情况下,所述读出单元完成由所述写入单元执行的数据写入,而在确定1位或更多位数据被没有被正确写入的情况下,所述读出单元将所述第一值写入所述反转标记器件,并指示所述写入单元将所述(预定单位数目-1)位的数据在位反转后至少一次或更多次地写入所述其他存储器件。
4.根据权利要求3所述的存储器,
其中,作为直接从所述存储组块读出写入所述其他存储器件的所述(预定单位数目-1)位的数据的结果,在确定1位或更多位数据没有被正确写入的情况下,所述读出单元指示所述电压控制单元增加所述写入电压,并允许所述写入单元再次写入数据。
5.根据权利要求1到3中任一项所述的存储器,其中,所述存储器件根据由所述写入单元写入1位数据引起的电阻变化来存储所述1位数据。
6.根据权利要求5所述的存储器,
其中,所述存储器件包括:
存储层,用于存储作为磁体磁化状态的数据;以及
磁化固定层,其磁化方向是固定的,其中非磁性层设置在所述磁化固定层和所述存储层之间,以及
其中,通过施加在堆叠方向上流动的写入电流,使所述存储层的磁化方向改变,以在所述存储层中存储数据。
7.一种数据处理方法,包括以下步骤:
将包括预定单位数目的各自用于存储1位数据的存储器件的存储组块中的一个预定存储器件用作反转标记器件,在写入所述反转标记器件的1位数据是代表“0”和“1”中任一个的第一值的情况下,将写入其他存储器件的(预定单位数目-1)位的数据在位反转后读出,而在写入所述反转标记器件的1位数据为不同于所述第一值的第二值的情况下,直接读出写入所述其他存储器件的所述(预定单位数目-1)位的数据。
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