[发明专利]二硫化钼基润滑耐磨复合薄膜的制备方法无效
申请号: | 201010196546.0 | 申请日: | 2010-06-10 |
公开(公告)号: | CN101906614A | 公开(公告)日: | 2010-12-08 |
发明(设计)人: | 李倩倩;尹桂林;郑慈航;王永强;余震;何丹农 | 申请(专利权)人: | 上海交通大学;上海纳米技术及应用国家工程研究中心有限公司 |
主分类号: | C23C14/35 | 分类号: | C23C14/35;C23C14/06 |
代理公司: | 上海交达专利事务所 31201 | 代理人: | 王锡麟;王桂忠 |
地址: | 200240 *** | 国省代码: | 上海;31 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 二硫化钼 润滑 耐磨 复合 薄膜 制备 方法 | ||
1.一种MoS2基润滑耐磨复合薄膜的制备方法,其特征在于:首先将基片抛光后超声清洗并吹干,然后置于溅射室中进行中间层溅射和复合层反应磁控溅射,待溅射室自然冷却至室温,得到反应磁控溅射制备的新型MoS2基润滑耐磨复合薄膜。
2.根据权利要求1所述的MoS2基润滑耐磨复合薄膜的制备方法,其特征是,所述的基片为不锈钢。
3.根据权利要求1所述的MoS2基润滑耐磨复合薄膜的制备方法,其特征是,所述的抛光是指:将基片抛光至光洁度小于0.05μm。
4.根据权利要求1所述的MoS2基润滑耐磨复合薄膜的制备方法,其特征是,所述的超声清洗是指:采用分析纯酒精、丙酮将抛光后的不锈钢基片置于超声清洗机中分别超声清洗30min,后用压缩氮气吹干基片表面。
5.根据权利要求1所述的MoS2基润滑耐磨复合薄膜的制备方法,其特征是,所述的中间层溅射是指:将溅射室本底真空抽至10-4Pa后,通入氩气并调整气体流量计使气压达到1Pa,设置溅射功率为100W,溅射时间为15min,在基片上直流溅射纯Ti靶或纯Ni靶,制成厚度约100nm的中间层。
6.根据权利要求1所述的MoS2基润滑耐磨复合薄膜的制备方法,其特征是,所述的复合层反应磁控溅射是指:溅射室中通入的气体为氩气和氮气的混合气体,调节氮气和氩气流量计,使得在0.5~2Pa氩气和氮气混合气体环境下,分别设置:
a)MoS2靶射频溅射功率为100~300W;
b)纯钛靶直流溅射功率10~50W;
两靶同时开启进行溅射,溅射时间为40~90min,制成厚度为0.5~2μm的复合层。
7.根据权利要求6所述的MoS2基润滑耐磨复合薄膜的制备方法,其特征是,所述的混合气体中氩气为溅射气体,氮气为反应气体。
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