[发明专利]低温烧结大功率压电陶瓷无效
| 申请号： | 201010192281.7 | 申请日： | 2010-06-04 |
| 公开（公告）号： | CN101857434A | 公开（公告）日： | 2010-10-13 |
| 发明（设计）人： | 赵霞;孙清池;马卫兵;孔德钱;高洪业 | 申请（专利权）人： | 天津大学 |
| 主分类号： | C04B35/493 | 分类号： | C04B35/493;C04B35/64 |
| 代理公司： | 天津市北洋有限责任专利代理事务所 12201 | 代理人： | 曹玉平 |
| 地址： | 300072*** | 国省代码： | 天津;12 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 低温 烧结 大功率 压电 陶瓷 | ||
【权利要求书】：
1.一种低温烧结大功率压电陶瓷，其配方组成为：Pb[(Mn1/3Sb2/3)y(Ni1/2W1/2)z(ZrxTi(1-x))(1-y-z)]O3，其中：x＝0.48～0.53，y＝0.04～0.06，z＝0.02～0.04；在此基础上外加重量百分比含量为0.3～0.7％的CuO。
2.根据权利要求1的低温烧结大功率压电陶瓷，其特征在于，按化学式Pb[(Mn1/3Sb2/3)y(Ni1/2W1/2)z(ZrxTi(1-x))(1-y-z)]O3，x＝0.49～0.52，y＝0.05～0.06，z＝0.02的化学计量比称取原料Pb3O4、ZrO2、TiO2，、MnO2，、Sb2O3，、Ni2O3、WO3，球磨混合后在880℃煅烧合成；然后向煅烧合成后的粉料中加入0.3～0.7％的CuO粉料，球磨混合。
3.根据权利要求1的低温烧结大功率压电陶瓷，其特征在于，所述低温烧结的大功率压电陶瓷于930℃～970℃烧结。
4.根据权利要求1的低温烧结大功率压电陶瓷，其特征在于，所述低温烧结的大功率压电陶瓷具有单一的钙钛矿结构。
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