[发明专利]一种适用于白光LED的单晶荧光材料

权利要求书

1.一种适用于白光LED的单晶荧光材料，包括设置在发光LED芯片前端的荧光激发/变换层，其特征是：

所述的荧光激发/变换层为单晶形态的荧光材料；

所述单晶荧光材料的化学分子式为A₃B₅O₁₂；

其中，所述的A包括稀土元素铈Ce、铒Er、钕Nd和/或铕Eu；

所述的B包括铝Al和/或镓Ga；

所述的单晶荧光材料采用提拉生长法制得；

所述的单晶荧光材料以单晶薄层状或薄片状的结构形式设置在白光LED发光芯片的前端。

2.按照权利要求1所述的适用于白光LED的单晶荧光材料，其特征是所述单晶荧光材料化学分子式A₃B₅O₁₂中的A包括镨Pr、镝Dy和/或钐Sm。

3.按照权利要求1所述的适用于白光LED的单晶荧光材料，其特征是所述单晶荧光材料化学分子式A₃B₅O₁₂中的A包括钇Y、铽Tb和/或钆Gd。

4.按照权利要求1所述的适用于白光LED的单晶荧光材料，其特征是所述单晶荧光材料化学分子式A₃B₅O₁₂中的A包括镥Lu和镧La。

5.按照权利要求1所述的适用于白光LED的单晶荧光材料，其特征是所述薄层状或薄片状单晶荧光材料的厚度尺寸范围为0.1～5mm。

6.按照权利要求1所述的适用于白光LED的单晶荧光材料，其特征是所述的提拉生长法包括研磨，均匀混合，在氢气环境中进行焙烧，将焙烧产物置于中频炉的铱干锅中、在氩气体环境中通过提拉生长法得到棒状的单晶荧光材料；其中，制备的工艺参数如下：

焙烧温度为：800～1500℃；

提拉速度：0.5～2.5mm/h；

旋转速度：10～30rpm。

7.按照权利要求1所述的适用于白光LED的单晶荧光材料，其特征是所述单晶荧光材料在蓝光LED发光芯片的激发下，发出光的波段为500～800nm。

8.按照权利要求7所述的适用于白光LED的单晶荧光材料，其特征是所述单晶荧光材料发光效率最佳的发光波段为530～600nm。

9.按照权利要求7所述的适用于白光LED的单晶荧光材料，其特征是所述单晶荧光材料显色指数和色温最佳的发光波段为530～650nm。