[发明专利]一种西索霉素高产菌种遗传改良的方法无效
| 申请号： | 201010184014.5 | 申请日： | 2010-05-26 |
| 公开（公告）号： | CN101864411A | 公开（公告）日： | 2010-10-20 |
| 发明（设计）人： | 高悟岩;周剑 | 申请（专利权）人： | 高悟岩;周剑 |
| 主分类号： | C12N13/00 | 分类号： | C12N13/00;C12N15/01;C12R1/29 |
| 代理公司： | 福州市鼓楼区京华专利事务所(普通合伙) 35212 | 代理人： | 翁素华 |
| 地址： | 350007 福建省*** | 国省代码： | 福建;35 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 霉素 高产 菌种 遗传 改良 方法 | ||
【权利要求书】：
1.一种西索霉素高产菌种遗传改良的方法，其特征在于：将涂布有稀释好的伊尼奥小单孢菌菌悬液的培养皿置于真空度为10-3Pa的离子注入机靶室的靶台上；接着对培养皿上的菌膜进行离子注入诱变，该离子注入的离子源以5s脉冲式注入，且间隔15s、注入的剂量为50×1013ions/cm2～200×1013ions/cm2；然后取出培养皿用无菌水洗脱，梯度稀释涂布于分离平皿，于34℃培养10天左右，用于单菌落的筛选，以摇瓶发酵西索霉素的效价为标准，挑取高产菌株；经过反复多轮离子注入诱变选育，获得一株效价达到1700u/ml左右的西索霉素高产菌株。
2.如权利要求1所述一种西索霉素高产菌种遗传改良的方法，其特征在于：所述离子源为20KeV的氮离子。
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