[发明专利]基于介质阻挡放电低温原子化器的非色谱汞形态分析方法无效

专利信息
申请号: 201010181304.4 申请日: 2010-05-18
公开(公告)号: CN101865832A 公开(公告)日: 2010-10-20
发明(设计)人: 朱振利;刘志付;郑洪涛 申请(专利权)人: 中国地质大学(武汉)
主分类号: G01N21/31 分类号: G01N21/31
代理公司: 湖北武汉永嘉专利代理有限公司 42102 代理人: 崔友明
地址: 430074 湖*** 国省代码: 湖北;42
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摘要:
搜索关键词: 基于 介质 阻挡 放电 低温 原子 色谱 形态 分析 方法
【权利要求书】:

1.基于介质阻挡放电低温原子化器的非色谱汞形态分析方法,其特征在于:利用还原剂将样品中的无机汞还原为Hg0,而有机汞生成有机汞氢化物,在介质阻挡放电原子化器不放电时,进行无机汞的测定得到无机汞的浓度;在介质阻挡放电原子化器放电时,有机汞氢化物被原子化,进行总汞的测定,得到总汞的浓度;有机汞的浓度为总汞的浓度与无机汞的浓度之间的差值。

2.按权利要求1所述的基于介质阻挡放电低温原子化器的非色谱汞形态分析方法,其特征在于:所述的还原剂为浓度为0.01-0.05%(m/v)的NaBH4或KBH4

3.按权利要求1或2所述的基于介质阻挡放电低温原子化器的非色谱汞形态分析方法,其特征在于:所述的有机汞为甲基汞、乙基汞和苯基汞中的任意一种或几种的混合。

4.按权利要求1或2所述的基于介质阻挡放电低温原子化器的非色谱汞形态分析方法,其特征在于:所述的介质阻挡放电原子化器为平行板式结构或同心圆式结构,具有两个平行电极及两层绝缘介质层,绝缘介质层位于两个平行电极之间,两层绝缘介质层之间的距离为1mm-5mm;两个平行电极与高压高频电源相连,其电压为220V-10000V,频率为50Hz-50MHz。

5.按权利要求1所述的基于介质阻挡放电低温原子化器的非色谱汞形态分析方法,其特征在于:所述的样品在载流带动下与还原剂混合,产生的有机汞氢化物与载气混合后经过分离,有机汞氢化物被载气带入到介质阻挡放电原子化器进行原子化。

6.按权利要求5所述的基于介质阻挡放电低温原子化器的非色谱汞形态分析方法,其特征在于:所述的载流为HCl,所述的载气为Ar,载气流速为40-100mL min-1

7.按权利要求1或5所述的基于介质阻挡放电低温原子化器的非色谱汞形态分析方法,其特征在于:所述的绝缘介质层材料为普通玻璃、耐热玻璃、石英和陶瓷中的任意一种。

8.按权利要求1或5所述的基于介质阻挡放电低温原子化器的非色谱汞形态分析方法,其特征在于:所述的样品为水样、鱼样或其它生物组织。

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