[发明专利]细胞系LNCaP和细胞系C4-2的新用途无效
| 申请号： | 201010173042.7 | 申请日： | 2010-05-11 |
| 公开（公告）号： | CN101831406A | 公开（公告）日： | 2010-09-15 |
| 发明（设计）人： | 周建光;施庆国 | 申请（专利权）人： | 中国人民解放军军事医学科学院生物工程研究所 |
| 主分类号： | C12N5/09 | 分类号： | C12N5/09;C12N13/00 |
| 代理公司： | 北京纪凯知识产权代理有限公司 11245 | 代理人： | 关畅;任凤华 |
| 地址： | 100071 北京市丰台*** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 细胞系 lncap c4 用途 | ||
1.细胞系LNCaP和细胞系C4-2在制备对辐射敏感和对辐射产生抗性的前列腺癌细胞模型中的应用。
2.根据权利要求1所述的应用，其特征在于：所述辐射为电离辐射。
3.根据权利要求1或2所述的应用，其特征在于：
所述对辐射敏感为如下1)、2)、3)和/或4)所示：
1)在辐射剂量为5Gy和辐射后培养时间为72小时的条件下，与未经辐射的细胞系LNCaP相比，经辐射的细胞系LNCaP的生长率降低了81％；
2)在辐射剂量为10Gy和辐射后培养时间为72小时的条件下，与未经辐射的细胞系LNCaP相比，经辐射的细胞系LNCaP的生长率降低了88％；
3)在辐射剂量为5Gy和接种量为4000个细胞/孔的条件下，与未经辐射的细胞系LNCaP相比，经辐射的细胞系LNCaP的克隆形成率降低了85％；
4)在辐射剂量为5Gy和接种量为6000个细胞/孔的条件下，与未经辐射的细胞系LNCaP相比，经辐射的细胞系LNCaP的克隆形成率降低了86％；
所述对辐射产生抗性为如下I、II、III和/或IV所示：
I、在辐射剂量为5Gy和辐射后培养时间为72小时的条件下，与未经辐射的细胞系C4-2相比，经辐射的细胞系C4-2的生长率降低了33％；
II、在辐射剂量为10Gy和辐射后培养时间为72小时的条件下，与未经辐射的细胞系C4-2相比，经辐射的细胞系C4-2的生长率降低了35％；
III、在辐射剂量为5Gy和接种量为4000个细胞/孔的条件下，与未经辐射的细胞系C4-2相比，经辐射的细胞系C4-2的克隆形成率降低了51％；
IV、在辐射剂量为5Gy和接种量为6000个细胞/孔的条件下，与未经辐射的细胞系C4-2相比，经辐射的细胞系C4-2的克隆形成率降低了47％。
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